P3188 时间：2025/7/23 15:17:22 阅读：2

P3188是一种功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率控制应用。该器件设计用于高效率、高频率的开关操作，具有较低的导通电阻和较高的电流承受能力，适用于DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统以及其他高功率电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：180A（在Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤1.8mΩ（典型值）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装形式：TO-263（D2Pak）或TO-220

特性

P3188具有非常低的导通电阻，使其在高电流应用中保持较低的功率损耗，提高系统效率。其高电流容量和良好的热管理能力，使得该器件能够在高负载条件下稳定工作。此外，P3188的栅极电荷较低，支持高频开关操作，减少开关损耗，适用于高性能电源转换系统。该器件的封装设计优化了散热性能，有助于提高可靠性和延长使用寿命。P3188还具备良好的抗雪崩能力和过载保护性能，适用于严苛的工业和汽车电子环境。

应用

P3188主要用于高性能电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动和电池管理系统。它也广泛应用于汽车电子、工业自动化、服务器电源、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和储能系统等高功率领域。由于其优异的导电性能和高可靠性，P3188在需要高效率和紧凑设计的现代电源解决方案中具有广泛的应用前景。