P2RFZ-08-E 时间：2025/12/27 0:05:17 阅读：12

P2RFZ-08-E是一款由Panasonic（松下）公司生产的光电耦合器（光耦），广泛应用于需要电气隔离的信号传输场景中。该器件集成了一个红外发光二极管和一个光电晶体管，通过光信号实现输入与输出之间的电气隔离，有效防止噪声干扰和高电压对控制电路的影响。P2RFZ-08-E采用DIP-8（双列直插式8引脚）封装，便于在印刷电路板上安装和焊接，适用于工业自动化、电源管理、通信设备以及各种嵌入式控制系统。该光耦具有较高的隔离电压，通常可达5000VRMS，确保了在高压环境下的安全运行。其工作温度范围较宽，一般为-55°C至+110°C，适合在严苛的工业环境中稳定工作。P2RFZ-08-E的电流传输比（CTR）表现良好，在规定的输入电流下能够提供可靠的输出响应，确保信号的准确传递。此外，该器件符合多项国际安全标准，包括UL、CSA和VDE认证，满足多种应用场景下的安全规范要求。由于其高可靠性和长寿命特性，P2RFZ-08-E被广泛用于继电器驱动、微控制器接口隔离、开关电源反馈回路以及可编程逻辑控制器（PLC）等关键系统中。

参数

型号：P2RFZ-08-E
　　制造商：Panasonic
　　器件类型：光电耦合器（光耦）
　　封装类型：DIP-8
　　通道数：1
　　输入正向电压（VF）：1.2V 典型值
　　输入反向电压（VR）：5V
　　输入正向电流（IF）：50mA 最大值
　　输出集电极-发射极电压（VCEO）：35V
　　输出发射极-集电极电压（VECO）：7V
　　输出集电极电流（IC）：50mA 最大值
　　隔离电压（Viso）：5000VRMS
　　电流传输比（CTR）：50%～600%
　　上升时间（tr）：4μs 典型值
　　下降时间（tf）：3μs 典型值
　　工作温度范围：-55°C 至 +110°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　最大功耗（Total）：200mW

特性

P2RFZ-08-E光电耦合器具备优异的电气隔离性能，其核心优势在于能够实现输入侧与输出侧之间的完全电气隔离，隔离电压高达5000VRMS，有效防止高压窜入低压控制电路，保障系统安全和操作人员的安全。该器件采用红外LED与硅光电晶体管组合结构，在保证高灵敏度的同时，具备良好的线性响应和稳定的输出特性。其电流传输比（CTR）范围宽，典型值在50%至600%之间，意味着在较小的输入电流下即可驱动较大的输出电流，提升了系统的能效和响应速度。CTR的稳定性受温度和老化影响较小，确保了长期运行中的可靠性。
　　P2RFZ-08-E具有快速的开关响应能力，上升时间典型值为4微秒，下降时间为3微秒，适用于中高速数字信号隔离传输场合。其DIP-8封装形式不仅便于手工焊接和自动化装配，还提供了良好的散热性能和机械强度。该器件的工作温度范围覆盖-55°C至+110°C，可在极端高低温环境下稳定工作，适用于工业控制、户外设备和汽车电子等严苛应用环境。
　　该光耦符合RoHS环保标准，不含铅、镉等有害物质，同时通过了UL1577、CSA Component Acceptance Notice #5等国际安全认证，确保其在各类安全敏感应用中的合规性。此外，P2RFZ-08-E具有较强的抗电磁干扰（EMI）能力，能够在高噪声工业环境中保持信号完整性。其内部结构设计优化了光路效率，提高了光电转换效率，降低了功耗。长期使用下，LED的老化速率较低，保证了器件在整个生命周期内的稳定性能。这些特性使其成为工业自动化、电源反馈、微处理器系统隔离等领域的理想选择。

应用

P2RFZ-08-E广泛应用于需要电气隔离的电子系统中。在工业自动化领域，常用于可编程逻辑控制器（PLC）的输入/输出模块，实现现场传感器或执行器与中央控制单元之间的信号隔离，防止地环路干扰和电压浪涌损坏核心控制器。在开关电源（SMPS）中，该光耦常作为反馈回路的关键元件，将次级侧的电压调节信号隔离传输至初级侧的PWM控制器，实现精确稳压控制，同时维持初级与次级之间的高压隔离。
　　在电机驱动和逆变器系统中，P2RFZ-08-E可用于隔离控制信号与高功率驱动电路，确保微控制器不受电机反电动势或功率开关噪声的影响。此外，该器件也常见于通信接口隔离，如RS-232、RS-485等总线系统中，用于提升通信的抗干扰能力和系统安全性。
　　在医疗电子设备中，由于对电气安全要求极高，P2RFZ-08-E可用于隔离患者连接部分与主控电路，满足医用设备的安全隔离标准。同时，它也适用于测试测量仪器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）以及智能家居控制系统中的继电器驱动和信号隔离环节。其高可靠性与宽温特性使其在汽车电子、轨道交通和能源系统中也有广泛应用前景。