类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100A
　　最大漏-源电压（VDS）：80V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大8mΩ（在VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247（单列直插式封装）
　　功率耗散（PD）：300W
　　栅极电荷（Qg）：约220nC
　　漏极-源极击穿电压（BVDSS）：80V

P2D100800 的核心优势在于其卓越的导电性能和热管理能力。该器件采用先进的沟槽结构设计，有效降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了电源转换效率。此外，其低栅极电荷（Qg）特性使其在高频开关应用中表现出色，有助于减少开关损耗并提高系统响应速度。
　　该MOSFET具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的性能。其TO-247封装设计有助于快速散热，确保在高负载条件下的可靠性。
　　P2D100800还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，适用于对可靠性和稳定性要求较高的工业和汽车电子系统。其±20V的栅极电压耐受能力也增强了器件在复杂工作环境中的稳定性，降低了栅极驱动电路的设计难度。

P2D100800 主要应用于高功率DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及各种工业电源设备。由于其高电流能力和低导通损耗，特别适用于需要高效能和高可靠性的场合，如电动汽车充电系统、储能系统、服务器电源和不间断电源（UPS）等。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车载逆变器、电驱系统和电池管理系统中，提供高效的功率控制方案。此外，P2D100800还可用于太阳能逆变器、工业自动化控制和高功率LED照明系统等应用。

TK100E08K,TM1000800S