时间:2025/10/29 22:31:51
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P28F020-150是一款由英特尔(Intel)公司推出的高性能、低功耗的256K x 8位(即2兆位)并行接口闪存(Flash Memory)芯片,属于Intel第一代成熟的商用闪存产品系列之一。该器件采用先进的E2PROM浮栅技术,具备非易失性存储特性,即使在断电情况下也能长期保存数据,适用于需要可靠固件存储的应用场景。P28F020-150工作电压为5V,兼容标准TTL电平,可直接与大多数微处理器和微控制器接口连接,无需额外的电平转换电路。该芯片支持字节级编程(写入)和扇区/整片擦除操作,具备良好的编程灵活性。其命名中“P”代表性能型(Performance),"28F"表示Intel的闪存系列,“020”代表容量为2Mbit,“150”表示最大访问时间为150纳秒,体现了其在当时主流应用中的快速读取能力。P28F020-150广泛应用于工业控制、通信设备、网络设备、嵌入式系统以及早期的PC BIOS存储等领域。尽管该芯片已逐渐被更先进的串行闪存和更高密度的NAND/NOR Flash所取代,但在一些老旧系统维护、备件替换及特定工业环境中仍具有一定的使用价值。
型号:P28F020-150
制造商:Intel
存储容量:2 Mbit (256K × 8 bits)
接口类型:并行
电源电压:5V ± 10%
访问时间:150 ns
工作温度范围:0°C 至 +70°C
封装形式:32引脚 DIP、32引脚 PLCC、32引脚 TSOP
读取模式:随机读取、页读取
编程电压:内部电荷泵生成,无需外部高压
擦除方式:扇区擦除(每扇区4KB)、整片擦除
编程方式:字节编程
耐久性:10,000次编程/擦除周期
数据保持时间:10年及以上
P28F020-150具备多项关键特性,使其在20世纪90年代至21世纪初成为广泛应用的闪存解决方案。首先,该芯片采用单电源供电设计,仅需5V电压即可完成读取、编程和擦除操作,内部集成了电荷泵电路以生成编程和擦除所需的高电压,极大简化了系统电源设计,降低了外围电路复杂度。其次,其150ns的快速访问时间确保了高效的指令执行和数据读取性能,适用于对响应速度有一定要求的嵌入式系统。芯片支持两种擦除模式:扇区擦除和整片擦除,其中扇区大小为4KB,允许用户进行局部更新而不影响其他区域的数据,提升了存储管理的灵活性和效率。同时,字节级编程能力使得数据可以按需写入,适合小量数据修改的应用场景。
P28F020-150还具备良好的可靠性与稳定性。其设计符合工业标准,能够在0°C至+70°C的商业温度范围内稳定运行,满足大多数通用电子设备的工作环境需求。该器件具有高达10,000次的编程/擦除寿命,意味着在正常使用条件下可支持频繁的固件升级操作。数据保持时间超过10年,确保长期断电后信息不丢失。此外,该芯片支持软件命令集控制,通过特定的写入序列来触发擦除和编程操作,有效防止误操作导致的数据损坏。Intel为其提供了完整的数据手册和技术支持,便于开发者集成和调试。虽然P28F020-150不具备现代闪存的低功耗休眠模式或硬件写保护引脚,但其简单、可靠的架构使其在资源受限或对成本敏感的设计中仍具吸引力。
P28F020-150广泛应用于多个需要非易失性程序存储的电子系统中。最常见的用途之一是作为个人计算机(PC)及其兼容机的BIOS(基本输入输出系统)存储器,用于存放启动代码和系统配置信息。由于其快速读取能力和高可靠性,该芯片能够确保系统快速、稳定地完成开机自检(POST)过程。在工业控制系统中,P28F020-150常被用于存储PLC(可编程逻辑控制器)的固件程序或人机界面(HMI)的操作系统代码。在网络与通信设备领域,如路由器、交换机和调制解调器中,它用于保存设备的引导程序(Bootloader)和运行固件,支持远程升级功能。此外,在医疗仪器、测试测量设备、POS终端和消费类电子产品中,该芯片也扮演着关键角色,用于存储应用程序代码、校准数据或用户设置信息。尽管随着技术发展,许多新设计已转向SPI NOR Flash等更小型化、更低功耗的方案,但P28F020-150仍在旧设备维修、备件替换和特定军工或航天遗留系统中持续发挥作用,尤其是在无法轻易更换硬件架构的情况下,其引脚兼容性和成熟生态仍是重要优势。
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