时间：2025/5/23 7:05:58
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P28F002BCT120 是一款高性能的MOSFET功率晶体管，主要用于开关和功率放大应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，广泛应用于电源管理、电机驱动和负载开关等领域。
该型号属于P沟道增强型MOSFET，其特点是能够承受较高的电压，并在较低的功耗下提供高效的电流传输能力。此外，它还具有出色的抗静电能力（ESD）和良好的稳定性，确保在各种复杂环境下的可靠运行。
最大漏源电压：-120V
连续漏极电流：-2.6A
导通电阻（典型值）：3.5Ω
栅极电荷：24nC
总电容（输入、输出和反向传输）：75pF
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：TO-220
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 高速开关性能，适合高频应用。
3. 良好的热稳定性和散热性能，确保长时间运行的安全性。
4. 具备较强的过流保护和短路耐受能力。
5. 封装形式坚固耐用，适用于表面贴装和通孔安装两种方式。
6. 在汽车电子、工业控制和消费类电子产品中表现出色。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 直流电机驱动和控制电路。
3. 各类负载开关应用。
4. 电池管理系统中的保护开关。
5. 逆变器及太阳能系统中的功率调节模块。
6. 电信设备中的信号切换与隔离电路。
P28F002BCP120, P28F002BDT120, FDP5700
