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P2500SAL 发布时间 时间:2025/12/26 21:58:40 查看 阅读:13

P2500SAL是一款高性能的功率MOSFET器件,专为高效率电源转换和功率开关应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点,适用于多种工业、消费类电子及通信设备中的电源管理系统。P2500SAL通常采用TO-220或D2PAK等封装形式,便于散热并支持通孔或表面贴装安装方式,广泛用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)、电机驱动以及负载开关等场景。作为一款N沟道增强型MOSFET,它在栅极施加正电压时导通,能够有效控制大电流负载,并具备较低的栅极电荷以减少驱动损耗。此外,该器件还具备良好的雪崩能量耐受能力和抗瞬态过压能力,提升了系统在恶劣工作环境下的可靠性与安全性。制造商通常会提供详细的数据手册,包括极限参数、安全工作区(SOA)、热阻特性以及典型应用电路,帮助工程师完成电路设计与热管理优化。

参数

型号:P2500SAL
  类型:N沟道MOSFET
  漏源电压VDS:250 V
  连续漏极电流ID:17 A
  脉冲漏极电流IDM:68 A
  栅源电压VGS:±30 V
  导通电阻RDS(on):85 mΩ @ VGS = 10 V
  栅极电荷Qg:48 nC @ VGS = 10 V
  输入电容Ciss:1100 pF @ VDS = 25 V
  开启延迟时间td(on):15 ns
  关断延迟时间td(off):35 ns
  工作结温范围Tj:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-220

特性

P2500SAL具备出色的电气性能和热稳定性,其核心优势在于低导通电阻RDS(on),仅为85毫欧姆(在VGS=10V条件下),这一特性显著降低了器件在导通状态下的功率损耗,提高了整体系统的能效表现,特别适合用于高频率开关电源中。由于其较低的导通压降,即使在大电流负载下也能保持较小的发热,有助于简化散热设计,降低对散热器尺寸的要求。
  该器件拥有适中的栅极电荷(Qg=48nC),这使得驱动电路所需提供的驱动功率相对较低,有利于使用集成度更高的控制器或驱动IC实现紧凑型电源设计。同时,较低的输入电容(Ciss=1100pF)减少了高频开关过程中的充放电损耗,进一步提升了开关效率,尤其适用于硬开关拓扑如反激式、正激式和半桥结构。
  P2500SAL具备良好的动态性能,开启和关断延迟时间分别为15ns和35ns,配合快速的上升和下降时间,使其能够在数百千赫兹甚至更高的开关频率下稳定运行,从而减小外围滤波元件的体积和成本。此外,该器件具有较强的抗雪崩能力,能够在突发短路或感性负载切换过程中承受一定的能量冲击而不发生永久性损坏,增强了系统的鲁棒性。
  其采用的TO-220封装不仅机械强度高,而且具备优良的热传导路径,允许通过外接散热片将热量有效地传递到环境中,确保长时间工作的可靠性。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C,可在极端温度环境下正常运作,适用于工业级和部分汽车级应用场景。

应用

P2500SAL广泛应用于各类中高功率开关电源系统中,包括AC-DC适配器、服务器电源模块、工业电源单元以及电信整流器等。在这些应用中,它常被用作主开关管或同步整流管,承担能量传递与转换的核心功能。由于其高耐压(250V)和较大的连续漏极电流能力(17A),也非常适合用于离线式反激变换器中,尤其是在恒功率输出需求较高的LED驱动电源中表现出色。
  在DC-DC转换器领域,P2500SAL可用于升压(Boost)、降压(Buck)或升降压(Buck-Boost)拓扑结构中,作为功率开关元件实现高效的电压调节。其快速的开关响应能力和低导通损耗有助于提升转换效率,满足现代电子产品对节能和小型化的需求。
  此外,该器件还可用于电机驱动电路中,例如小型直流电机或步进电机的H桥驱动方案中,作为上下桥臂的开关元件,控制电机的启停、转向和调速。在智能家电、自动化控制系统和电动工具中均有潜在应用价值。
  在电池管理系统(BMS)或负载开关应用中,P2500SAL可作为高端开关使用,实现对负载的软启动和过流保护功能。结合适当的保护电路,还能防止反向电流流动和输入电压反接造成的损害,提高整个系统的安全性和使用寿命。

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