P2202CM6 时间：2025/12/24 0:55:37 阅读：27

P2202CM6是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高电流承载能力的特点，能够在高频工作条件下保持优异的效率和稳定性。
　　该型号属于N沟道增强型MOSFET，具有较快的开关速度和较低的栅极电荷，非常适合需要高效能和高可靠性的应用环境。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：24A
　　导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
　　栅极电荷(Qg)：38nC
　　总电容(Ciss)：1740pF
　　功耗(Ptot)：195W
　　工作温度范围：-55℃至+175℃

特性

P2202CM6具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗，提高整体效率。
　　2. 高电流处理能力，能够满足大功率应用场景的需求。
　　3. 快速开关性能，降低了开关损耗，并提高了系统的动态响应速度。
　　4. 良好的热稳定性，即使在高温环境下也能保持稳定的性能。
　　5. 小尺寸封装设计，节省PCB空间，适合紧凑型设计。
　　6. 具备较强的抗静电能力(ESD)，提升了产品的可靠性。

应用

P2202CM6广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
　　2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
　　3. 电机驱动电路中作为功率级开关。
　　4. 各类负载开关和保护电路。
　　5. 工业设备中的功率控制模块。
　　6. 汽车电子系统中的大电流开关组件。