器件类型：TVS二极管阵列
　　通道数：4通道
　　工作电压（VRWM）：5V
　　击穿电压（VBR）：最小6.4V，典型7.1V
　　最大箝位电压（VC）：13.5V @ IPP = 1A
　　峰值脉冲电流（IPP）：1A
　　反向漏电流（IR）：小于1μA @ VRWM
　　结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23-6
　　ESD耐受能力：±15kV（接触放电），符合IEC 61000-4-2 Level 4
　　响应时间：小于1ns

P2114A5的首要特性是其高效的瞬态电压抑制能力，能够在纳秒级时间内响应高达±15kV的静电放电事件，有效防止ESD对下游IC造成损伤。该器件内部集成了四个独立的双向TVS二极管，每个通道均可独立工作于5V工作电压下，适合用于保护USB、HDMI、SD卡接口、GPIO等多种低电压数字信号线路。由于采用了低电容设计（典型值小于1pF），P2114A5在高频信号传输路径中引入的寄生效应极小，不会显著影响信号完整性，因此特别适用于高速数据接口的防护应用。
　　另一个关键特性是其优异的箝位性能。在1A的峰值脉冲电流条件下，其最大箝位电压仅为13.5V，远低于大多数CMOS器件的击穿阈值，从而为后级电路提供了充分的安全裕度。这种低箝位电压得益于优化的PN结结构和材料工艺，使得器件在导通状态下能够快速分散热量，避免局部过热导致失效。同时，P2114A5具有非常低的反向漏电流（<1μA），在待机或低功耗模式下几乎不消耗额外电流，有助于提升系统整体能效。
　　从可靠性角度看，P2114A5经过严格的老化测试和环境适应性验证，可在-55°C至+150°C的宽温度范围内长期稳定运行，适用于工业级和汽车级应用场景。其SOT-23-6封装不仅体积小巧，还具备良好的散热性能和机械强度，支持回流焊和波峰焊等多种装配工艺。此外，该器件通过了IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4等多项国际EMC标准认证，确保在严苛的电磁干扰环境下仍能维持出色的保护性能。综合来看，P2114A5是一款高性能、高集成度的瞬态保护解决方案，兼顾了响应速度、电气性能与物理尺寸的平衡，非常适合现代电子设备对小型化与高可靠性的双重需求。

P2114A5广泛应用于需要高等级静电和瞬态电压保护的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的高速数据接口保护，例如USB 2.0、HDMI、MIPI、I2C、SPI等信号线。这些接口频繁暴露在用户操作环境中，极易受到人体静电放电的影响，而P2114A5凭借其±15kV的ESD防护能力和低电容特性，能够在不影响信号质量的前提下提供可靠保护。
　　在通信领域，该器件可用于以太网PHY接口、RS-232/RS-485收发器、CAN总线等工业通信端口的浪涌和瞬变抑制。尤其是在工厂自动化、楼宇控制系统中，电快速瞬变脉冲群（EFT）和感应雷击是常见的干扰源，P2114A5能够有效吸收这些瞬态能量，防止通信中断或控制器损坏。此外，在计算机外设如键盘、鼠标、打印机的数据线上也常采用此类TVS阵列进行前端防护。
　　汽车电子也是一个重要应用方向。随着车载信息娱乐系统和ADAS传感器数量增加，车内布线复杂度上升，电磁干扰风险加大。P2114A5可用于保护车载摄像头、触摸屏控制器、导航模块等低压信号线路，满足AEC-Q101等车规级可靠性要求（若型号有车规版本）。在医疗设备中，尤其是便携式监护仪、超声探头等对信号精度和安全性要求极高的场合，P2114A5也能发挥其低漏电、低噪声的优势，保障设备稳定运行。总之，凡是有高速、低电压信号传输且存在外部接口暴露风险的场景，都是P2114A5的理想应用领域。

SP1205-05WTG
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　　TPD4S019
　　MAX44256