P20NK50Z 时间：2025/7/23 1:00:56 阅读：7

P20NK50Z 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于各种电源管理、功率转换和电机控制等应用。该器件采用先进的高压技术制造，具备高耐压、低导通电阻和高可靠性等优点，适用于高效率电源系统的设计。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：20A
　　最大漏-源极电压（VDS）：500V
　　最大栅-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.23Ω（典型值）
　　功耗（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK（表面贴装）

特性

P20NK50Z 的核心特性之一是其优异的导通性能和高压承受能力。在 VDS 为 500V 的条件下，该器件能够承受高达 20A 的连续漏极电流，确保在高功率负载下稳定运行。其导通电阻 RDS(on) 典型值为 0.23Ω，能够在导通状态下保持较低的功率损耗，提高整体系统的能效。
　　此外，P20NK50Z 采用了先进的高压工艺技术，具备良好的热稳定性和抗热失效能力。这使得它在高温环境下依然能够保持稳定的电气性能，并有效延长器件的使用寿命。该器件的栅极驱动电压范围为 ±20V，允许使用常见的栅极驱动电路进行控制，增强了其在各种应用中的灵活性。　　在封装方面，P20NK50Z 提供了 TO-220 和 D2PAK 两种选项，其中 TO-220 封装适合通孔安装，而 D2PAK 则适用于表面贴装工艺，能够满足不同电路板设计的需求，并提升生产效率。

应用

P20NK50Z 的高耐压、低导通电阻和高可靠性使其广泛应用于多种电力电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、UPS（不间断电源）、电机驱动和照明控制系统等。在开关电源中，P20NK50Z 可用于主开关或同步整流器，提高电源转换效率并降低热量产生。在 DC-DC 转换器中，该器件可用于升压或降压拓扑结构，实现高效能量转换。在电机控制领域，P20NK50Z 可用于 H 桥驱动电路，实现对电机方向和速度的精确控制。此外，由于其出色的抗雪崩能力和热稳定性，P20NK50Z 也常用于工业自动化、家电控制和新能源设备中，如太阳能逆变器和电动车充电系统。