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P1800SDL 发布时间 时间:2025/12/26 21:56:12 查看 阅读:12

P1800SDL是一款由Power Integrations公司生产的高度集成的离线式开关IC,专为低功率电源转换应用设计。该器件集成了高压功率MOSFET和先进的控制电路,采用该公司独有的InnoSwitch架构,具备高效率、高可靠性和简化的设计特点。P1800SDL主要应用于需要符合严格能效标准的电源系统中,例如消费类电子产品充电器、家电辅助电源、工业控制电源以及物联网设备供电单元等。该芯片通过次级侧同步整流技术显著降低损耗,提升整体转换效率,并支持宽输入电压范围,适用于全球通用交流输入场景。此外,P1800SDL内置多重保护机制,包括过载保护、过温保护和输出短路保护,确保系统在异常情况下的安全运行。其封装形式为紧凑型InSOP-24D,有利于实现小型化设计并改善热性能与电气绝缘特性。

参数

产品类型:离线式开关IC
  集成组件:高压MOSFET, PWM控制器, 同步整流驱动
  工作电压范围(VAC):90 V 至 265 V
  最大输出功率:约24 W
  开关频率:典型值为100 kHz
  效率:高达94%
  封装类型:InSOP-24D
  隔离耐压:750 VAC(加强绝缘)
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  反馈机制:磁耦合通信(FluxLink?)
  控制方式:准谐振反激拓扑
  保护功能:过温保护、过流保护、输出短路保护、过压保护

特性

P1800SDL采用了Power Integrations公司专利的InnoSwitch3技术平台,具备卓越的能效表现和极高的集成度。其核心优势之一是使用FluxLink?磁耦合通信技术,实现了初级侧与次级侧之间的安全隔离信号传输,无需光耦即可完成精确的输出电压调节,从而提高了系统的可靠性并减少了外部元件数量。这一设计不仅增强了长期稳定性,还避免了传统光耦因老化而导致的性能下降问题。
  该器件内置的高压硅功率MOSFET支持超快恢复外延型漏极(Super Junction Epi)工艺,能够在高频开关条件下保持较低的导通电阻和开关损耗,进一步提升电源效率。同时,它结合了次级侧同步整流控制器,动态调节整流MOSFET的导通时序,有效替代传统的肖特基二极管,大幅降低整流损耗,尤其是在低输出电压应用中效果显著。
  P1800SDL支持准谐振(Quasi-Resonant, QR)反激工作模式,在谷底开关(Valley Switching)技术的支持下,使MOSFET在电压最低点导通,减小开关应力和电磁干扰(EMI),有助于满足CISPR 22/EN55022等电磁兼容性标准。此外,芯片具备自适应多模式控制能力,可根据负载条件自动切换PWM/PFM模式,优化轻载效率,轻松满足能源之星、DoE Level VI等国际能效规范要求。
  在安全性方面,InSOP-24D封装提供了增强的爬电距离和电气隔离性能,适用于医疗、工业等对绝缘要求较高的应用场景。芯片内部集成全面的保护机制,如自动重启动模式下的过流、过压、过温及输出短路保护,提升了整个电源系统的鲁棒性。开发人员可通过极少的外围元件完成设计,缩短产品上市周期,降低BOM成本。

应用

P1800SDL广泛用于多种低功率交直流电源转换场合,典型应用包括智能手机、平板电脑和其他便携设备的USB充电器,尤其是追求高能效和小体积的墙插式适配器。在白色家电领域,常被用作微波炉、洗衣机、空调等设备的辅助电源(Auxiliary Power Supply),提供稳定的+5V或+12V直流输出。此外,该芯片也适用于智能家居和物联网终端设备的供电模块,如智能音箱、路由器、网络摄像头和传感器节点等,这些设备通常要求待机功耗极低且具备良好的电磁兼容性。
  工业控制与自动化系统中,P1800SDL可用于PLC模块、继电器驱动电源、人机界面(HMI)供电单元等,其高可靠性和宽温工作能力适合恶劣环境下的长期运行。在医疗设备方面,得益于其加强绝缘封装和高安全性设计,可应用于非直接接触型诊断设备或便携式监护仪的内部电源部分。由于其无需光耦的设计简化了PCB布局,特别适合空间受限的应用场景。同时,该芯片支持多种输出配置,包括单路和多路输出设计,灵活应对不同负载需求。配合合适的变压器设计和外围电路,能够实现从交流市电到稳定直流电压的高效转换,是现代绿色电源解决方案的理想选择之一。

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