时间：2025/12/26 22:09:44
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P1502SBLRP是一款由Power Integrations公司生产的高效率、高度集成的离线式开关IC，专为低功耗电源应用设计，广泛应用于消费类电子设备和工业控制领域。该器件集成了高压功率MOSFET和先进的控制电路，采用InnoSwitch3-EP产品系列架构，具备出色的能效表现和可靠性。P1502SBLRP支持反激式拓扑结构，适用于无需次级侧反馈光耦的电源设计，通过其特有的FluxLink?技术实现初级侧与次级侧之间的安全隔离通信，从而提高系统可靠性和寿命。该芯片内置多种保护功能，包括过载保护、过压保护、过温保护以及线路欠压锁定等，确保在各种异常条件下仍能安全运行。此外，P1502SBLRP符合全球主流能效标准，如DoE Level VI和EU CoC V5 Tier 2，有助于终端产品通过相关认证。其封装形式为紧凑的InSOP-24D封装，兼具良好的散热性能和爬电距离，适合高密度PCB布局。
型号：P1502SBLRP
制造商：Power Integrations
产品系列：InnoSwitch3-EP
拓扑结构：反激式
控制模式：初级侧感应（PSR）
集成开关：750 V PowiGaN? MOSFET
工作电压范围（输入）：90 VAC 至 265 VAC（全电压范围）
待机功耗：< 30 mW
输出功率最大支持：约21 W（具体取决于设计）
封装类型：InSOP-24D
引脚数：24
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
反馈机制：FluxLink? 数字反馈（磁耦合隔离）
调制方式：准谐振（Quasi-Resonant, QR）与CCM/DCM自适应
保护功能：过温保护（OTP）、过压保护（OVP）、过流保护（OCP）、线路欠压锁定（UVLO）
符合标准：IEC 60950-1、IEC 62368-1、DoE Level VI、EU CoC V5 Tier 2
P1502SBLRP的核心优势在于其采用了Power Integrations独有的InnoSwitch3-EP架构，结合了高效节能与高集成度的设计理念。该芯片内部集成了一个750 V的PowiGaN?氮化镓功率MOSFET，相较于传统硅基MOSFET，具有更低的导通电阻和开关损耗，显著提升了电源转换效率，尤其是在轻载和中等负载条件下表现出色。这种材料技术的应用使得P1502SBLRP能够在更高频率下稳定运行，同时减少外部元件数量，缩小整体电源体积。
该器件采用初级侧调节（PSR）技术，无需使用次级侧的TL431和光耦反馈电路，简化了电路设计，降低了成本，并提高了系统的长期可靠性。传统的光耦存在老化问题，而P1502SBLRP通过FluxLink?隔离技术实现初级与次级之间的数字信号传输，不仅提供增强型电气隔离，还实现了精确的输出电压和电流控制，动态响应快，精度高。
InnoSwitch3-EP系列具备多模式控制能力，能够根据负载情况自动切换准谐振（QR）、连续导通模式（CCM）和非连续导通模式（DCM），以优化不同工况下的效率表现。芯片还集成了完善的保护机制，例如逐周期限流、自动恢复的过载保护、锁存式过温保护等，确保在恶劣电网环境或输出短路等故障情况下仍能安全运行。
P1502SBLRP支持宽输入电压范围，适用于全球通用交流输入场景，且在待机状态下功耗极低，轻松满足最严格的能源法规要求。其InSOP-24D封装经过优化设计，提供了足够的爬电距离和电气间隙，适用于工业级严苛环境，同时支持自动化贴装工艺，便于大规模生产。
P1502SBLRP广泛应用于需要高能效、小体积和高可靠性的低功率离线电源系统中。典型应用包括家用电器中的辅助电源，如智能电视、音响系统、路由器、机顶盒等设备的待机电源模块。此外，它也适用于工业控制领域的传感器供电、PLC模块、小型继电器驱动电源以及楼宇自动化系统中的低功耗电源单元。由于其无需光耦的设计特点，特别适合对长期稳定性要求较高的封闭式或免维护设备。在医疗设备中，P1502SBLRP可用于符合安全隔离标准的低功率辅助电源设计，满足IEC 60601等医疗规范要求。同时，该芯片还可用于USB充电器、小型适配器（5V至24V输出范围）、智能家居控制面板电源等消费类电子产品中。得益于其高集成度和简化的设计流程，P1502SBLRP有助于缩短产品开发周期，降低BOM成本，并提升整体系统可靠性，是现代绿色电源设计的理想选择之一。
INN3270CQ, INN3276C, P1502SCX
