时间：2025/7/23 11:55:38
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P13NK60ZFP是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及各种功率管理场合。该器件采用先进的平面条形FET技术和优化的封装设计，提供出色的导通电阻与开关性能平衡，适用于中高功率应用场景。
类型：N沟道
最大漏源电压（Vds）：600V
最大漏极电流（Id）@25°C：13A
导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω @Vgs=10V
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2~4V
最大功耗（Ptot）：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220FP
P13NK60ZFP具备多项优异的电气和物理特性，使其在多种功率电子应用中表现出色。首先，其高达600V的漏源击穿电压（Vds）使其适用于多种高电压应用，如AC-DC电源适配器和功率因数校正（PFC）电路。其次，该MOSFET的最大漏极电流为13A，在高温环境下仍能保持稳定运行，确保系统的可靠性和稳定性。
该器件的导通电阻（Rds(on)）仅为0.45Ω，且在Vgs=10V时具有较低的导通损耗，从而提高了整体效率并减少了热量生成。此外，P13NK60ZFP具备快速开关能力，降低了开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。栅极阈值电压在2V至4V之间，兼容常见的驱动电路，如PWM控制器和微处理器输出。
其TO-220FP封装具有良好的散热性能和机械稳定性，适合高功率密度设计。此外，该MOSFET具有高雪崩耐受能力，增强了在瞬态负载或电感负载切换情况下的稳定性。整体而言，P13NK60ZFP是一款适用于多种中高功率应用的高效、可靠的功率MOSFET。
P13NK60ZFP适用于多种功率电子设备，包括但不限于开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、照明控制系统（如LED驱动器）以及工业自动化设备中的功率开关模块。由于其优异的导通特性和高耐压能力，该器件也常用于家电、通信设备和绿色能源系统中的功率调节电路。
STP12NK60ZFP, STP13NK60Z, IRF840, FQA13N60C
