P12NM50FP 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率开关应用。该器件采用了先进的平面条形技术,具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性,适用于各种电力电子系统,如电源转换器、电机驱动、DC-DC 转换器和工业控制系统。P12NM50FP 采用 TO-220FP 封装形式,有助于提高散热效率并增强器件在高功率下的工作稳定性。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):500V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):12A
导通电阻(Rds(on)):0.38Ω
功耗(Ptot):65W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-220FP
P12NM50FP 具有多个优异的电气和热性能特性。首先,其高耐压能力(Vds = 500V)使其适用于高压电源转换和开关应用,如开关电源(SMPS)、逆变器和电机控制电路。其次,该器件的导通电阻较低(Rds(on) = 0.38Ω),有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。此外,P12NM50FP 采用 TO-220FP 封装,具有良好的散热性能,能够在较高功率条件下保持稳定的运行温度。该器件还具备较高的雪崩能量耐受能力,增强了在高应力工作环境下的可靠性。P12NM50FP 的栅极驱动电压范围宽(±20V),适用于多种驱动电路设计,并具有良好的短路和过载保护能力。这些特性使得 P12NM50FP 成为高性能功率电子系统中的理想选择。
另外,P12NM50FP 在设计上优化了开关特性,减少了开关损耗,使其在高频工作条件下依然保持良好的效率。该器件还具有较低的输入电容和输出电容,有助于减少高频应用中的开关延迟和能量损耗。由于其优异的热稳定性,P12NM50FP 可以在高温环境下可靠运行,适用于要求高稳定性和长寿命的工业设备和电源系统。
P12NM50FP 广泛应用于多种电力电子系统中。常见用途包括开关电源(SMPS)中的主开关器件、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器以及各种工业自动化和控制系统。由于其高耐压和低导通电阻的特性,P12NM50FP 也非常适合用于高压直流电源转换、照明控制系统、UPS(不间断电源)以及电动工具和电动车控制器等高功率应用场景。此外,该器件还可用于电池管理系统(BMS)中的充放电控制电路,以提高系统效率和可靠性。
STP12NM50ND, IRFBC40, FDPF5N50U, FQA16N50C