P12NM50FP 时间：2025/7/22 15:41:26 阅读：11

P12NM50FP 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用了先进的平面条形技术，具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性，适用于各种电力电子系统，如电源转换器、电机驱动、DC-DC 转换器和工业控制系统。P12NM50FP 采用 TO-220FP 封装形式，有助于提高散热效率并增强器件在高功率下的工作稳定性。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：12A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.38Ω
　　功耗（Ptot）：65W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220FP

特性

P12NM50FP 具有多个优异的电气和热性能特性。首先，其高耐压能力（Vds = 500V）使其适用于高压电源转换和开关应用，如开关电源（SMPS）、逆变器和电机控制电路。其次，该器件的导通电阻较低（Rds(on) = 0.38Ω），有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。此外，P12NM50FP 采用 TO-220FP 封装，具有良好的散热性能，能够在较高功率条件下保持稳定的运行温度。该器件还具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了在高应力工作环境下的可靠性。P12NM50FP 的栅极驱动电压范围宽（±20V），适用于多种驱动电路设计，并具有良好的短路和过载保护能力。这些特性使得 P12NM50FP 成为高性能功率电子系统中的理想选择。
　　另外，P12NM50FP 在设计上优化了开关特性，减少了开关损耗，使其在高频工作条件下依然保持良好的效率。该器件还具有较低的输入电容和输出电容，有助于减少高频应用中的开关延迟和能量损耗。由于其优异的热稳定性，P12NM50FP 可以在高温环境下可靠运行，适用于要求高稳定性和长寿命的工业设备和电源系统。

应用

P12NM50FP 广泛应用于多种电力电子系统中。常见用途包括开关电源（SMPS）中的主开关器件、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器以及各种工业自动化和控制系统。由于其高耐压和低导通电阻的特性，P12NM50FP 也非常适合用于高压直流电源转换、照明控制系统、UPS（不间断电源）以及电动工具和电动车控制器等高功率应用场景。此外，该器件还可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路，以提高系统效率和可靠性。