P10NK80Z 时间：2025/7/22 15:47:22 阅读：12

P10NK80Z 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高电压、高功率MOSFET晶体管，主要用于需要高耐压和高效率的电源转换应用，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和逆变器。该器件采用高压MESH OVERLAY技术，具有卓越的雪崩能力和热稳定性，适用于多种工业和消费类电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：10A
　　最大漏源电压：800V
　　最大栅源电压：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.68Ω @ Vgs=10V
　　栅极电荷：典型值24nC
　　工作温度范围：-55°C至150°C

特性

P10NK80Z 具有多个关键特性，使其适用于高电压和高功率的应用场景。
　　1. 高耐压能力：该MOSFET的最大漏源电压为800V，适合用于高压环境，例如电源转换器和逆变器设计。
　　2. 低导通电阻：典型值0.68Ω的导通电阻有助于降低导通损耗，提高整体效率，减少散热需求。
　　3. 高可靠性：P10NK80Z 采用先进的高压MESH OVERLAY技术，具有出色的雪崩能力和过载保护特性，确保在极端条件下的稳定运行。
　　4. 快速开关性能：栅极电荷仅为24nC，使得开关速度更快，从而减少开关损耗并提升系统的响应能力。
　　5. 热稳定性：其热阻设计优化，确保在高温环境下也能保持稳定的工作状态，从而提高系统的可靠性。
　　6. 简单驱动需求：由于栅极电压范围为±20V，并且导通阈值较低，P10NK80Z 可以轻松与常见的驱动电路配合使用，简化了设计流程。

应用

P10NK80Z 通常用于需要高电压处理能力和高效能的电子系统中。典型应用包括：
　　1. 开关电源（SMPS）：适用于各种AC-DC电源转换器，如适配器、计算机电源和工业电源。
　　2. 电机驱动：在直流电机控制和逆变器电路中，P10NK80Z 提供高效的功率开关功能。
　　3. 照明系统：如LED驱动器和电子镇流器，用于控制高亮度LED或气体放电灯的电源。
　　4. 太阳能逆变器：作为功率开关，用于将太阳能板的直流电转换为交流电供家庭或电网使用。
　　5. 电池充电器：适用于高电压电池组的充电管理，例如电动汽车（EV）和储能系统的充电设备。
　　6. 工业自动化：在工业控制系统中用于大功率负载的开关控制，如加热元件、继电器或执行器。