P10NK80Z 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高电压、高功率MOSFET晶体管,主要用于需要高耐压和高效率的电源转换应用,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和逆变器。该器件采用高压MESH OVERLAY技术,具有卓越的雪崩能力和热稳定性,适用于多种工业和消费类电子设备。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流:10A
最大漏源电压:800V
最大栅源电压:±20V
导通电阻(Rds(on)):典型值0.68Ω @ Vgs=10V
栅极电荷:典型值24nC
工作温度范围:-55°C至150°C
P10NK80Z 具有多个关键特性,使其适用于高电压和高功率的应用场景。
1. 高耐压能力:该MOSFET的最大漏源电压为800V,适合用于高压环境,例如电源转换器和逆变器设计。
2. 低导通电阻:典型值0.68Ω的导通电阻有助于降低导通损耗,提高整体效率,减少散热需求。
3. 高可靠性:P10NK80Z 采用先进的高压MESH OVERLAY技术,具有出色的雪崩能力和过载保护特性,确保在极端条件下的稳定运行。
4. 快速开关性能:栅极电荷仅为24nC,使得开关速度更快,从而减少开关损耗并提升系统的响应能力。
5. 热稳定性:其热阻设计优化,确保在高温环境下也能保持稳定的工作状态,从而提高系统的可靠性。
6. 简单驱动需求:由于栅极电压范围为±20V,并且导通阈值较低,P10NK80Z 可以轻松与常见的驱动电路配合使用,简化了设计流程。
P10NK80Z 通常用于需要高电压处理能力和高效能的电子系统中。典型应用包括:
1. 开关电源(SMPS):适用于各种AC-DC电源转换器,如适配器、计算机电源和工业电源。
2. 电机驱动:在直流电机控制和逆变器电路中,P10NK80Z 提供高效的功率开关功能。
3. 照明系统:如LED驱动器和电子镇流器,用于控制高亮度LED或气体放电灯的电源。
4. 太阳能逆变器:作为功率开关,用于将太阳能板的直流电转换为交流电供家庭或电网使用。
5. 电池充电器:适用于高电压电池组的充电管理,例如电动汽车(EV)和储能系统的充电设备。
6. 工业自动化:在工业控制系统中用于大功率负载的开关控制,如加热元件、继电器或执行器。
STP10NK80ZFP、P10NK80TFG、STP10NK80T、FQP10N80C