类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：10A（在TC=25°C时）
　　导通电阻（RDS(ON)）：0.65Ω（最大值，典型值可能更低）
　　功率耗散（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220

P10NB50FP的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压可达500V，这使其适用于高电压开关应用。其低导通电阻确保了在工作过程中能量损耗较低，从而提高了整体系统效率。此外，该MOSFET具有较高的电流承载能力，在10A的漏极电流下仍能保持稳定运行。由于其采用TO-220封装，散热性能较好，适合高功率应用环境。
　　这款MOSFET的栅极驱动要求较低，标准驱动电压为10V即可充分导通，从而简化了驱动电路设计。此外，其栅源电压容限为±30V，具有一定的过压保护能力，从而提高了使用的安全性。P10NB50FP还具备快速开关能力，适用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机控制等应用场景。
　　该器件的热阻较低，确保在高负载下也能保持良好的热稳定性。其封装设计也便于安装在散热片上，以进一步提高散热效率。这种MOSFET还具有良好的抗雪崩击穿能力，可在瞬态高压条件下提供一定的保护作用。

P10NB50FP广泛应用于各种功率电子设备中，特别是在需要高电压和高电流控制的场合。常见应用包括开关电源（SMPS）、逆变器、DC-DC转换器、电机驱动电路以及工业自动化控制系统。此外，该MOSFET也适用于LED照明驱动器、电池管理系统（BMS）和家用电器中的功率控制部分。由于其具备良好的导通特性和较高的可靠性，它也常用于汽车电子系统中的电源管理模块。

2SK2647, FDPF10N50, IRFZ44N