时间：2025/7/22 18:42:27
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P1013NXE2HFB是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频率开关应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：13A（在25°C）
功耗（Ptot）：2.5W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
导通电阻（Rds(on)）：最大值为8.5mΩ（在Vgs=10V）
栅极电荷（Qg）：27nC（典型值）
漏极电容（Coss）：980pF（典型值）
开关时间：导通时间约7ns，关断时间约12ns
P1013NXE2HFB采用了先进的沟槽栅极技术，使得其导通电阻极低，从而在高电流应用中减少功率损耗并提高能效。该器件的高开关速度特性使其在高频应用中表现优异，例如DC-DC转换器和同步整流器。此外，其PowerFLAT 5x6封装提供了良好的散热性能，有助于在高功率条件下维持器件的稳定性。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持在10V至20V之间工作，使其能够与多种驱动电路兼容。内置的体二极管具有快速恢复特性，有助于减少反向恢复损耗，提高整体系统效率。此外，P1013NXE2HFB的工作温度范围广泛，从-55°C到175°C，适用于各种严苛环境条件下的应用。
该器件还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够在短时间过载或瞬态条件下保持稳定运行。其封装设计符合RoHS标准，支持环保应用。综合来看，P1013NXE2HFB是一款高性能功率MOSFET，适用于需要高效、高可靠性和紧凑设计的电子系统。
P1013NXE2HFB广泛应用于各种高功率和高频电子系统中，包括DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制电路、工业自动化设备以及汽车电子系统。其高开关速度和低导通电阻特性使其特别适合用于同步整流器和高频开关电源设计。此外，该器件也可用于LED照明驱动、不间断电源（UPS）和储能系统中的功率控制模块。
STD10NM60N, IPB013N10N3, STB13NM60N}
