时间：2025/8/23 17:44:44
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P1000M 是一款由 STMicroelectronics 生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的沟槽栅极和电荷平衡技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特点，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种高功率电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：180A
最大漏-源电压（VDS）：100V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大5.3mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6 或 TO-220
功率耗散（PD）：200W
P1000M 是一款高性能功率MOSFET，采用了STMicroelectronics的先进沟槽技术，实现了极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。该器件具有高达180A的连续漏极电流能力，适用于高功率密度设计。其100V的漏-源击穿电压使其适用于多种中高压应用，如DC-DC转换器、同步整流、电机驱动和电池管理系统。
该MOSFET的封装形式（如PowerFLAT 5x6或TO-220）具有良好的热性能，有助于在高负载条件下有效地散热。此外，P1000M 的栅极驱动电压范围宽广，支持标准逻辑电平控制（如+10V至+15V），便于与各种驱动电路兼容。
在可靠性方面，P1000M 具有良好的短路耐受能力，并通过了AEC-Q101汽车级认证，适合用于对可靠性要求较高的工业和汽车应用。其工作温度范围从-55°C至175°C，确保在极端环境条件下依然稳定工作。
P1000M 常用于高功率开关电路中，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统、工业电源、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及汽车电子系统等。其高电流能力和低导通电阻特性使其成为高效能和高可靠性设计的理想选择。
SiR180DP
