P086A07 时间：2025/12/25 6:57:15 阅读：17

P086A07 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的汽车级功率MOSFET器件，主要用于高侧负载开关、电机控制、DC-DC转换器以及汽车电子系统中的功率管理应用。该器件采用先进的沟道MOSFET技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压和高电流能力，适用于各种对可靠性和性能要求极高的汽车应用场景。

参数

类型：功率MOSFET
　　沟道类型：P沟道
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：10A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为120mΩ（典型值为100mΩ）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装形式：PowerSO-10

特性

P086A07 MOSFET具备多项优异特性，首先其低导通电阻有助于降低功率损耗，提高系统效率，并减少发热，从而提升整体可靠性。该器件具有高耐压能力，漏源电压可达30V，适用于多种中等功率的汽车电子控制应用。其栅极驱动电压范围宽广，支持与多种控制IC和驱动器的兼容性。此外，该器件具有良好的热稳定性和过温保护能力，能够在高温环境下稳定工作。
　　在可靠性方面，P086A07通过了AEC-Q100汽车级认证，确保其在严苛的汽车运行环境下的稳定性与耐用性。它还具备出色的短路耐受能力和静电放电（ESD）防护性能，进一步增强了器件在复杂电磁环境中的适应能力。其封装形式采用PowerSO-10，体积小巧，便于集成于高密度PCB布局中，同时具备良好的散热性能。

应用

P086A07 MOSFET广泛应用于汽车电子系统中，如车身控制模块、电动门窗、座椅调节系统、车载电源管理、LED照明驱动以及各类高侧开关电路。此外，它也可用于工业自动化控制系统、智能电表、电池管理系统（BMS）以及各种需要高可靠性和高效率的功率开关场合。由于其优异的电气性能和汽车级认证，P086A07特别适合用于需要长时间稳定运行并具备高安全要求的车载应用。