时间：2025/12/29 14:37:18
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P07N03LV是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高效率电源转换应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关特性，广泛用于DC-DC转换器、电源管理模块和电机控制等场合。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：70A（在Tc=100℃）
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大4.5mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：160W
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：PowerFLAT 5x6、TO-220、TO-263等
P07N03LV具有低导通电阻，可显著降低导通损耗，提高电源转换效率。其高电流承载能力使其适用于高功率密度的设计。此外，该器件具备快速开关特性，降低了开关损耗，提高了整体系统效率。P07N03LV还采用了先进的沟槽式技术，提高了器件的稳定性和可靠性。该MOSFET具有较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，并具备良好的短路耐受能力。其封装形式多样，便于根据具体应用需求选择合适的封装方式，如PowerFLAT 5x6适用于表面贴装，而TO-220则适用于通孔安装。
P07N03LV广泛应用于各种电源管理系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，它也适用于汽车电子、消费类电子产品以及工业控制设备中的高效能功率开关应用。
STL70N03LV, P07N03L, P07N03L-E
