P0690ATF 时间：2025/12/26 20:59:55 阅读：9

P0690ATF是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的STripFET? V系列工艺技术制造，专为高效率开关应用设计。该器件具有优异的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on) × Qg），在电源管理、DC-DC转换、电机驱动以及负载开关等应用中表现出色。P0690ATF封装于PowerSSO-36（即DirectFET? MD）封装中，具备出色的热性能和低寄生电感特性，适合高频开关操作。其额定电压为60V，连续漏极电流可达80A，适用于需要高功率密度和高效能转换的现代电子系统。由于采用了先进的沟槽式场效应晶体管结构，该器件在保持低导通损耗的同时，还能有效降低开关过程中的能量损耗，提升整体系统效率。此外，P0690ATF具备良好的雪崩耐受能力和抗短路能力，增强了系统在异常工况下的可靠性。该器件广泛应用于服务器电源、电信设备、工业控制、电动工具以及车载电源系统等领域。

参数

型号：P0690ATF
　　制造商：STMicroelectronics
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大漏极电流（Id @ 25°C）：80A
　　导通电阻（Rds(on) max @ Vgs=10V）：4.5mΩ
　　导通电阻（Rds(on) max @ Vgs=4.5V）：6.2mΩ
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 3.0V
　　栅极电荷（Qg typ @ Vds=30V, Id=40A）：45nC
　　输入电容（Ciss typ）：3300pF
　　输出电容（Coss typ）：1000pF
　　反向恢复时间（trr typ）：30ns
　　最大功耗（Ptot）：125W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：PowerSSO-36 (DirectFET? MD)

特性

P0690ATF采用STMicroelectronics先进的STripFET? V垂直沟槽MOSFET技术，显著优化了导通电阻与开关性能之间的平衡。其超低导通电阻在4.5V至10V的栅极驱动电压下表现尤为突出，能够在大电流应用中有效减少传导损耗，提高电源系统的整体能效。该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于降低驱动电路的功耗，尤其适用于高频开关电源拓扑如同步整流、半桥和全桥结构。由于采用DirectFET?封装技术，P0690ATF具备极低的封装电感和优异的散热能力，能够将芯片产生的热量高效传递至PCB或散热器，从而支持持续高负载运行。该封装还支持双面散热，进一步提升了热管理灵活性。
　　该MOSFET具有出色的动态性能，包括快速的开关速度和较短的反向恢复时间，减少了开关过程中的交叠损耗，降低了电磁干扰（EMI）风险。其内部结构经过优化，具备良好的雪崩能量耐受能力，在突发过压或电感负载突变情况下仍能保持稳定工作，提高了系统鲁棒性。此外，P0690ATF的阈值电压具有良好的一致性，确保在并联使用多个MOSFET时电流分配更加均匀，避免局部过热问题。器件符合RoHS标准，并通过了AEC-Q101汽车级可靠性认证，适用于严苛环境下的工业和车载应用。其坚固的封装设计也增强了抗机械应力和热循环能力，适合在振动频繁或温度变化剧烈的环境中长期运行。

应用

P0690ATF广泛应用于各类高效率、高功率密度的电源系统中。在服务器和数据中心的VRM（电压调节模块）中，该器件用于同步降压转换器的上下管开关，提供稳定的低压大电流输出。在通信电源和基站设备中，它被用于DC-DC变换器以实现高效的中间总线转换。工业自动化系统中的电机驱动控制器也常采用该MOSFET作为H桥或半桥开关元件，实现精确的速度和扭矩控制。此外，在电动汽车的车载充电机（OBC）、DC-DC转换器以及辅助电源系统中，P0690ATF凭借其高可靠性和优良热性能成为理想选择。其在太阳能逆变器和储能系统中的应用也日益广泛，用于功率级开关以提升能量转换效率。在高端消费类电子产品如游戏主机、高性能笔记本电脑的电源管理单元中，该器件同样发挥着关键作用。由于其封装支持自动化贴装且兼容回流焊工艺，非常适合大规模生产制造。