时间：2025/8/30 1:25:38
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P05N-100ST-B-G 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于高电流和高功率应用，如电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关。P05N-100ST-B-G具有低导通电阻（RDS(on)）和高耐压能力，使其在高效率功率转换系统中表现出色。该器件采用TO-220封装，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
漏极电流（ID）：50A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：5mΩ（最大值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
功率耗散（PD）：160W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220
P05N-100ST-B-G MOSFET具备多项优异特性，使其适用于高功率和高效率应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）为5mΩ，这意味着在导通状态下，器件的功率损耗极低，从而提高了整体系统的效率并减少了热量产生。其次，该器件的最大漏源电压为100V，漏极电流可达50A，适用于中高功率电源转换和负载开关应用。
此外，P05N-100ST-B-G采用TO-220封装，具有良好的热管理和散热性能，适合高功率密度设计。该封装形式也便于安装在散热片上，以提高热传导效率。其栅极阈值电压范围为2V至4V，使得该MOSFET能够与常见的逻辑电平（如5V或3.3V微控制器）兼容，适用于各种开关控制电路。
该器件还具备出色的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压情况下保持稳定运行，提高了系统的可靠性和耐用性。同时，其内部结构优化，减少了开关损耗，使其适用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC转换器和电机驱动器。
P05N-100ST-B-G MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、工业自动化、负载开关、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统。在电源应用中，该器件可用于同步整流和功率因数校正（PFC）电路，提高电源转换效率。在电机控制和H桥驱动中，其低导通电阻和高电流能力使其成为理想选择。
此外，该MOSFET也适用于高功率LED驱动、太阳能逆变器和储能系统等新能源应用。由于其高可靠性和耐压能力，P05N-100ST-B-G也常用于车载电子系统，如车载充电器（OBC）和电动车辆的功率管理系统。在工业控制和自动化设备中，它可用于控制高功率负载，如加热元件、电磁阀和继电器驱动。
STP55NF06, IRF1405, FDP047N10, FQP50N10
