时间：2025/8/30 1:27:37
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P05N-050PT-C-G 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款 MOSFET 设计用于高效率电源管理应用，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力的特点。P05N-050PT-C-G 采用 PowerFLAT 5x6 封装，适用于需要紧凑布局和高效散热的电路设计。该器件广泛应用于 DC-DC 转换器、电机控制、负载开关和电源管理系统等领域。
类型：N 沟道
漏源电压（Vds）：50V
漏极电流（Id）：50A（在 25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大 5mΩ（在 Vgs=10V）
栅极电压（Vgs）：最大 ±20V
功耗（Pd）：120W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：PowerFLAT 5x6
P05N-050PT-C-G 具有优异的导通性能和开关特性，适用于高效率电源转换系统。其低 Rds(on) 值确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体能效。此外，该器件的封装设计有助于实现良好的热管理，使得在高功率密度应用中能够稳定工作。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，允许使用常见的 10V 或 12V 驱动电压，同时具备较高的抗过压能力。器件内部结构优化，确保在高频率开关操作下仍具有良好的稳定性和可靠性。
由于其出色的热性能和电流能力，P05N-050PT-C-G 适用于需要高可靠性和高性能的工业、消费电子及汽车电子系统。其封装形式也便于自动化生产和焊接，提高制造效率。
P05N-050PT-C-G 常用于 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动电路、负载开关、电源管理系统以及高功率密度的开关电源（SMPS）中。此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器和电动工具等应用。
P05N050DS、P05N050CF、P05N050BD、P0605EG、P0605ED
