P0473NLT 时间：2025/12/28 11:46:24 阅读：15

P0473NLT是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极和薄芯片技术制造，专为高效率电源转换应用而设计。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）特性，有助于减少导通损耗，提高系统整体能效。P0473NLT广泛应用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、电机驱动电路以及电池供电设备中的负载开关等场合。其封装形式为PowerFLAT 5x6-8L，具备优良的热性能和紧凑的占位面积，适合对空间要求严格的现代电子产品设计。该MOSFET符合RoHS环保标准，并具备良好的可靠性和耐用性，在工业控制、消费电子及便携式设备中均有广泛应用。

参数

型号：P0473NLT
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：30V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大连续漏极电流(ID)：19A
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：76A
　　导通电阻(RDS(on) max)：4.7mΩ @ VGS=10V, 4.3mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压(VGS(th))：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容(Ciss)：1420pF @ VDS=15V
　　输出电荷(Qg)：21nC @ VGS=10V
　　工作温度范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6-8L

特性

P0473NLT的核心优势在于其极低的导通电阻，这显著降低了在大电流条件下的功率损耗，从而提升了系统的能源效率并减少了散热需求。该器件采用ST的STripFET技术，结合先进的沟道设计与优化的硅片工艺，实现了优异的电气性能与热稳定性。其栅极结构经过特别优化，能够有效降低米勒电容效应，提升开关速度，适用于高频开关操作场景。此外，P0473NLT具备良好的雪崩耐受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，增强了系统的鲁棒性。
　　该MOSFET的PowerFLAT 5x6-8L封装不仅体积小巧，还具备出色的散热性能，底部带有裸露焊盘，可通过PCB有效传导热量，实现高效的热管理。这种封装形式支持自动化贴装工艺，提高了生产效率和焊接可靠性。器件的引脚布局经过优化，有助于降低寄生电感，进一步改善高频开关时的EMI表现。同时，P0473NLT具有较低的栅极电荷（Qg），这意味着驱动电路所需的功耗更小，尤其适合使用低功耗控制器或集成驱动器的应用环境。
　　在可靠性方面，P0473NLT通过了严格的质量测试，包括高温反向偏压测试（HTRB）、高温栅极偏压测试（HTGB）以及温度循环测试等，确保其在恶劣工作环境下仍能保持长期稳定运行。器件还具备良好的抗湿气性能，满足JEDEC J-STD-020的回流焊要求，适用于无铅焊接工艺。由于其高性能指标和紧凑封装，P0473NLT成为替代传统TO-220或DPAK封装MOSFET的理想选择，特别是在追求小型化和高功率密度的设计中表现出色。

应用

P0473NLT常用于各类高效开关电源拓扑结构中，如同步降压变换器、半桥和全桥转换器，作为主开关或整流开关使用。它也广泛应用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理系统中，承担电池充放电控制、负载开关切换等功能。在电机驱动领域，该器件可用于直流电机或步进电机的H桥驱动电路，提供快速响应和低损耗的开关能力。此外，P0473NLT适用于服务器和通信设备中的多相VRM（电压调节模块），支持大电流输出和动态负载调节。其高电流处理能力和优良热性能使其在LED照明驱动、USB PD电源适配器以及便携式医疗设备中也有广泛应用。工业自动化系统中的传感器电源、PLC模块和继电器驱动电路同样可受益于该MOSFET的高性能特性。