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P0460ATF TK4A60DB 发布时间 时间:2025/9/6 6:37:06 查看 阅读:2

P0460ATF TK4A60DB是一款由东芝(Toshiba)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高效率电源转换系统,如DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用场景。该器件采用先进的工艺制造,具有低导通电阻、高可靠性和良好的热稳定性,能够在较高的开关频率下工作,从而减小外围电路的体积和重量。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):60V
  最大漏极电流(ID):40A(在25°C下)
  导通电阻(RDS(on)):最大值为6.0mΩ(典型值可能更低)
  栅极电压(VGS):最大±20V
  功耗(PD):200W
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装形式:TO-220或类似功率封装

特性

P0460ATF TK4A60DB具备多项优良特性,适用于高性能电源管理应用。首先,其低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高电源转换效率。其次,该MOSFET采用高雪崩能量耐受能力的设计,增强了在高电压冲击下的稳定性,从而提高系统的可靠性。
  此外,该器件具有快速开关能力,能够适应高频开关电源的设计需求,减少输出纹波和滤波器尺寸。其高栅极电压耐受能力(±20V)也提高了在高噪声环境中的抗干扰能力,避免误触发导致的性能下降或损坏。
  该MOSFET的封装形式采用标准TO-220或类似的功率封装,便于散热并适用于常见的电路板布局。其宽广的工作温度范围(-55°C至175°C)使其适用于各种恶劣环境,如工业控制、汽车电子和消费类高功率设备。

应用

P0460ATF TK4A60DB广泛应用于需要高效能功率控制的系统中。在电源管理系统中,它常用于同步整流器、DC-DC降压或升压转换器、电池充电电路等。由于其高电流能力和低导通损耗,也常被用于电机驱动器和负载开关电路中,特别是在电动车、工业自动化设备和服务器电源模块中。
  此外,该MOSFET还可用于UPS(不间断电源)、太阳能逆变器、LED照明驱动电源等高效率要求的场景。在汽车电子领域,P0460ATF TK4A60DB可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和车载DC-DC转换器,满足车规级应用对可靠性和稳定性的严格要求。

替代型号

TK4A60D,HUF76427P,HUF76429P

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