类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大漏极电流（ID）：40A（在25°C下）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为6.0mΩ（典型值可能更低）
　　栅极电压（VGS）：最大±20V
　　功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-220或类似功率封装

P0460ATF TK4A60DB具备多项优良特性，适用于高性能电源管理应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高电源转换效率。其次，该MOSFET采用高雪崩能量耐受能力的设计，增强了在高电压冲击下的稳定性，从而提高系统的可靠性。
　　此外，该器件具有快速开关能力，能够适应高频开关电源的设计需求，减少输出纹波和滤波器尺寸。其高栅极电压耐受能力（±20V）也提高了在高噪声环境中的抗干扰能力，避免误触发导致的性能下降或损坏。
　　该MOSFET的封装形式采用标准TO-220或类似的功率封装，便于散热并适用于常见的电路板布局。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）使其适用于各种恶劣环境，如工业控制、汽车电子和消费类高功率设备。

P0460ATF TK4A60DB广泛应用于需要高效能功率控制的系统中。在电源管理系统中，它常用于同步整流器、DC-DC降压或升压转换器、电池充电电路等。由于其高电流能力和低导通损耗，也常被用于电机驱动器和负载开关电路中，特别是在电动车、工业自动化设备和服务器电源模块中。
　　此外，该MOSFET还可用于UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、LED照明驱动电源等高效率要求的场景。在汽车电子领域，P0460ATF TK4A60DB可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车载DC-DC转换器，满足车规级应用对可靠性和稳定性的严格要求。

TK4A60D,HUF76427P,HUF76429P