类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：80A（在TC=25℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为1.65mΩ（最大值为2.3mΩ）
　　功率耗散（PD）：180W
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装类型：TO-220

P0165ED具备多项优异的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。在高电流条件下，该器件依然能够保持较低的压降，从而减少了发热并提高了稳定性。
　　其次，P0165ED的高栅极电荷（Qg）和低输入电容（Ciss）使其在高频开关应用中表现良好。这种特性减少了开关损耗，并提高了响应速度，适用于高频率的DC-DC转换器和PWM控制电路。
　　此外，该MOSFET具有较强的热稳定性和过载能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行。其TO-220封装形式提供了良好的散热性能，有助于在高功率应用中维持较低的结温，延长器件的使用寿命。
　　最后，P0165ED具备较高的耐用性和抗静电能力，能够在复杂电磁环境中可靠工作。其封装材料和内部结构设计也优化了机械强度和长期可靠性，适合工业和汽车电子等严苛环境的应用需求。

P0165ED主要用于需要高效率和高功率密度的电源系统中。其典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（如电动车和储能系统中的充电控制）、电机驱动电路以及高功率LED照明驱动电路。
　　在DC-DC转换器中，P0165ED的低导通电阻和高开关性能有助于提高转换效率，降低发热，提升系统稳定性。在电机控制和H桥驱动电路中，该器件能够承受较大的瞬态电流冲击，确保电机运行的平稳性。
　　此外，该MOSFET也常用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和工业自动化控制系统等需要高可靠性和高效率的电力电子设备中。其优异的热性能和封装设计也使其适用于紧凑型电源模块和高密度PCB布局的应用场景。

STP80NF10, IRF1404, FDP80N10