时间：2025/8/5 3:52:22
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P0120HLB 是一款由 STMicroelectronics 生产的高性能、低功耗的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术，提供了优异的导通电阻和开关性能，使其在高频率和高效率的开关电源设计中表现出色。
类型：功率 MOSFET
封装类型：TO-220
最大漏极电流 (Id)：12A
漏源击穿电压 (Vds)：200V
导通电阻 (Rds(on))：0.25Ω @ Vgs=10V
栅极电荷 (Qg)：30nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
最大功率耗散：50W
P0120HLB 具有低导通电阻和快速开关特性，使其在高效率的电源转换器中表现优异。该器件采用 TO-220 封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于各种高功率应用。此外，P0120HLB 还具备高雪崩能量耐受能力和良好的短路保护性能，确保在极端工作条件下也能稳定运行。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，可以在 4.5V 至 20V 之间正常工作，适合多种驱动电路的设计。其低栅极电荷特性有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。此外，P0120HLB 的封装设计便于散热，适合用于需要长时间高负载运行的应用场景。
P0120HLB 常用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制、电池充电器以及各种功率管理应用。由于其优异的导通和开关性能，该器件也广泛应用于工业自动化设备、电源适配器和照明控制系统中。此外，P0120HLB 还适用于需要高可靠性和高效能的汽车电子系统，如车载充电器和电动工具驱动电路。
STP12NM20T, FDPF12NM20
