类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：80V
　　漏极电流（Id）：180A（最大）
　　导通电阻（Rds(on)）：5.2mΩ（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：130nC（典型值）
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　工作温度范围：-55°C至175°C

P0080SBMCLRP具备多项高性能特性。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率，适用于高电流应用场景。该器件的高电流处理能力（高达180A）使其能够承受瞬时大电流冲击，增强了系统的稳定性和可靠性。此外，P0080SBMCLRP采用了先进的沟槽栅极技术，优化了开关性能，降低了开关损耗，并提高了器件的响应速度。
　　
　　该MOSFET采用PowerFLAT 5x6封装，具有良好的散热性能，能够在高功率密度环境下保持较低的工作温度。这种封装形式还具有较小的体积，便于在PCB布局中使用，尤其适合空间受限的应用设计。P0080SBMCLRP的工作温度范围广泛（-55°C至175°C），适用于工业级和汽车级应用环境。
　　
　　此外，该器件具有较强的耐用性和抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中稳定运行。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高整体系统效率。P0080SBMCLRP还具备良好的短路耐受能力，进一步增强了其在高可靠性要求场景中的适用性。

P0080SBMCLRP广泛应用于各种电源管理和功率控制领域。其主要应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统（BMS）。在DC-DC转换器中，P0080SBMCLRP的低导通电阻和高电流能力有助于提高转换效率，减少热量产生，适用于服务器电源、通信设备电源以及工业自动化设备。
　　
　　在电机控制应用中，该MOSFET可作为H桥电路中的开关元件，提供高效的电机驱动能力，适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备。在电池管理系统中，P0080SBMCLRP可用于电池充放电控制，确保电池组的安全运行。
　　
　　此外，该器件也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块。由于其优异的热性能和宽工作温度范围，P0080SBMCLRP能够在汽车环境中的高温和高振动条件下稳定工作，满足汽车级可靠性要求。

STP180N8F7AG, IPP180N8S4-03, FDP180N8S4L