类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：80V
　　最大漏极电流（ID）：200A
　　导通电阻（RDS(on)）：8mΩ @ VGS=10V
　　栅极电荷（Qg）：95nC
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：PG-HSOF-8-1
　　技术：OptiMOS?

P0080EBLRP1具备多项卓越的电气和热性能，首先其导通电阻仅为8mΩ，在10V栅极驱动电压下可实现极低的导通损耗，有助于提高系统效率。该器件采用了英飞凌先进的沟槽式MOSFET技术，实现了更高的功率密度和更小的芯片尺寸，从而在有限空间内提供更高的性能。
　　其次，该MOSFET具有较高的栅极电荷（Qg）值为95nC，这在一定程度上平衡了开关速度与驱动损耗之间的关系，使其适用于高频开关环境。同时，P0080EBLRP1的工作温度范围宽达-55°C至+175°C，具备出色的热稳定性，能够在严苛环境下保持正常运行。
　　此外，该器件采用PG-HSOF-8-1封装形式，具有良好的散热性能，并支持表面贴装（SMD）工艺，适用于自动化生产流程。这种封装还具备低热阻特性，有助于提高器件在高功率负载下的可靠性。
　　值得一提的是，P0080EBLRP1符合RoHS标准，无铅环保，适合用于符合现代环保法规的电子产品设计。

P0080EBLRP1广泛应用于多个高功率、高效率需求的电子系统中。在电源管理领域，它常用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等电路中，以提高转换效率并减小电路体积。在服务器电源和通信设备电源系统中，该MOSFET可作为主开关器件或同步整流器件，支持高电流输出并降低功耗。
　　在工业自动化和电动工具中，P0080EBLRP1可用于电机驱动和电源控制模块，提供快速开关响应和稳定的电流处理能力。此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS），用于控制电池充放电路径，确保电池组的安全运行。
　　由于其优异的热性能和可靠性，P0080EBLRP1也常用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、DC-DC变换器、起停系统和电池保护电路等场景。在新能源汽车和储能系统中，该MOSFET能够有效支持高能量密度和高效率的功率转换需求。

IPB080N08N3 G, BSC080N08NS5 AG, BSC080N08NS5 G