P0060SC是一款高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
型号:P0060SC
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:60A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:80nC
总电容:1450pF
工作温度范围:-55℃ to +175℃
具有非常低的导通电阻(Rds(on)),仅为1.5mΩ,这使得其在大电流应用中表现尤为出色。同时,它具备快速的开关性能,栅极电荷较小,仅有80nC,这有助于减少开关损耗。
此外,这款MOSFET能够在高达175℃的环境下稳定工作,适用于高温工业环境或汽车电子领域。它的封装形式通常为TO-247或D2PAK,便于散热管理,并支持表面贴装或通孔安装方式。
广泛用于需要高效功率切换的应用场合,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 汽车电子中的负载开关
5. 工业设备中的功率管理模块
6. 太阳能逆变器中的功率级电路
由于其卓越的性能,P0060SC特别适合要求高效率和低热损耗的设计。
P0065SC
P0060SK
IRFP2907
FDP5500