类型：射频功率MOSFET
　　封装：陶瓷金属封装（Cermet）
　　最大工作电压（VDS）：50 V
　　最大漏极电流（ID）：25 A
　　最大输出功率：约120 W（在典型工作频率下）
　　频率范围：470 MHz 至 860 MHz
　　增益：约18 dB（典型值）
　　输入驻波比（VSWR）：2.5:1（最大值）
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　热阻（Rth）：约0.35°C/W（结至外壳）

P-1634BA-CA(50) 具有出色的高频性能和稳定的输出功率能力，适用于UHF频段的高功率放大需求。其主要特性包括：
　　1. 高输出功率能力：在UHF频段下，P-1634BA-CA(50) 可提供高达120W的输出功率，适用于广播和通信设备中的功率放大器设计。
　　2. 高增益表现：该器件在典型工作频率范围内具有约18 dB的增益，减少了对前级放大器的需求，提高了系统的整体效率。
　　3. 低输入驻波比（VSWR）：其输入驻波比最大为2.5:1，确保了良好的信号匹配和较低的反射损耗。
　　4. 良好的热稳定性：由于其低热阻（约0.35°C/W），该器件能够在高功率运行时保持较低的结温，从而提高可靠性和寿命。
　　5. 高可靠性封装：采用陶瓷金属封装，不仅提供了优异的散热性能，还增强了器件在恶劣环境下的耐用性。
　　6. 宽工作温度范围：支持-65°C至+150°C的结温范围，适用于各种工业和户外应用场景。
　　这些特性使P-1634BA-CA(50) 成为UHF频段射频功率放大器的理想选择，尤其适用于需要高稳定性和高输出功率的设计。

P-1634BA-CA(50) 广泛应用于以下领域：
　　1. 电视广播发射机：作为UHF频段的功率放大器，用于地面数字电视广播系统。
　　2. 专业通信设备：用于无线基站、中继器和专业无线电通信设备中的射频功率放大模块。
　　3. 工业测试仪器：作为射频信号源或放大器，用于测试和测量设备中。
　　4. 宽带无线接入系统：用于WiMAX或其他宽带无线通信系统的前端放大器设计。
　　5. 军事和航空航天应用：由于其高可靠性和良好的热管理性能，P-1634BA-CA(50) 也适用于一些高要求的军事通信和雷达系统。
　　6. 高频加热和工业设备：在某些高频加热系统中作为功率源使用。
　　总体而言，P-1634BA-CA(50) 是一款适用于UHF频段的高功率射频MOSFET，广泛用于广播、通信、测试设备和工业控制系统。

MRF150、RD16HHF1、RD16HHF2、BLF244、BLF245、NTE126