时间：2025/4/29 13:24:55
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OZ8138LN-C-0-TR 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）推出的高压 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 N 沟道技术，适用于高效率开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用。其封装形式为 TO-263-3，具有良好的散热性能和可靠性。
最大漏源电压：800V
连续漏极电流：1.5A
栅极阈值电压：4V
导通电阻：1.7Ω
功耗：3W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
OZ8138LN-C-0-TR 具有以下主要特性：
1. 高击穿电压，适合高压应用环境。
2. 极低的输入电容和输出电容，可实现快速开关速度。
3. 小尺寸封装，便于 PCB 布局设计。
4. 稳定的电气性能，在极端温度条件下表现优异。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 内置防静电保护功能，提高了产品的耐用性。
该芯片广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关电源 (SMPS) 中作为主功率开关。
2. DC-DC 转换器中的高频开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制单元。
4. 工业设备中的负载切换与保护。
5. 汽车电子系统中的电源管理模块。
OZ8138LN-C-0-TR 的高压和高效特性使其成为众多高压应用场景的理想选择。
FDP8870,
IRFR2907ZPBF,
FQA15N80C,
STP15NF08LT,
IXFH16N80T2
