OZ6933BN-D 时间：2025/12/27 8:21:32 阅读：13

OZ6933BN-D是一款由Onsemi（安森美）公司生产的高效率、低功耗同步整流控制器，专为反激式电源转换器中的同步整流应用而设计。该器件通过检测功率MOSFET的漏源电压来实现精确的导通和关断控制，从而显著提高电源系统的整体效率，尤其是在轻载和重载条件下均能维持高性能表现。OZ6933BN-D适用于多种AC-DC电源拓扑结构，广泛用于适配器、充电器以及开放式电源系统中。其主要目标是替代传统的肖特基二极管整流方案，以降低传导损耗并提升能效，满足日益严格的能源标准要求，如CoC Tier 2与DoE Level VI等环保规范。该芯片采用小型化封装，具备良好的热性能和可靠性，适合高密度电源设计需求。此外，OZ6933BN-D集成了多重保护机制，包括过温保护、VDD欠压锁定（UVLO）等功能，确保在各种异常工况下仍能安全运行。由于其自供电架构设计，无需额外偏置绕组即可从主功率回路中获取工作能量，进一步简化了变压器设计并降低了系统成本。

参数

工作电压范围：4.5V ~ 18V
　　启动电流：≤50μA
　　静态电流：≤1.2mA
　　最大驱动能力：峰值拉电流/灌电流 ±1A
　　开关频率支持：高达500kHz
　　导通阈值电压：典型值70mV
　　关断阈值电压：典型值-70mV
　　传播延迟时间：典型值40ns
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　封装形式：DFN-8（3mm x 3mm）
　　引脚数量：8

特性

OZ6933BN-D采用先进的电压检测型同步整流控制技术，能够精准感知外部同步整流MOSFET的漏源极电压变化，并据此快速做出导通或关断决策，有效避免误触发导致的交叉导通现象。其内部集成高速比较器与逻辑控制电路，在不同负载条件下均可实现最优时序控制，极大提升了转换效率。该芯片具备优异的抗噪声能力，内置滤波机制可防止因PCB布局引起的尖峰干扰造成误动作，尤其适用于高频开关环境下的稳定运行。
　　为了适应宽范围输入电压和多类型变压器设计，OZ6933BN-D提供了灵活的自供电架构，仅需从输出端取电即可完成正常工作，无需独立的偏置电源绕组，这不仅减少了磁性元件的设计复杂度，还节省了空间与材料成本。同时，它支持连续导通模式（CCM）、非连续导通模式（DCM）以及准谐振（QR）等多种反激拓扑工作模式，兼容性强，适用于多样化的电源设计方案。
　　在可靠性方面，OZ6933BN-D集成了全面的保护功能。例如，当芯片结温超过安全阈值时，会自动启动过温保护机制，关闭输出驱动信号以防止器件损坏；VDD引脚具有欠压锁定（UVLO）功能，确保在供电不稳定期间不发生异常操作。此外，驱动输出带有防直通设计，即使在极端瞬态条件下也能保障上下桥臂不会同时导通，增强了系统的鲁棒性。
　　该器件还优化了EMI性能，通过软驱动技术和可控的栅极驱动斜率来减少高频噪声发射，有助于通过电磁兼容性认证。制造工艺上采用先进的BCD工艺，保证了高集成度与长期稳定性。综合来看，OZ6933BN-D凭借高效、可靠、易用的特点，成为现代高效电源系统中理想的同步整流控制器解决方案之一。

应用

OZ6933BN-D主要用于各类中小功率AC-DC电源适配器和充电器产品中，例如手机、平板电脑、笔记本电脑的原装及通用型电源适配器。由于其高效的同步整流能力，特别适用于追求高能效和低待机功耗的应用场景，比如符合欧盟CoC V5 Tier 2或美国能源部DoE Level VI能效标准的绿色电源产品。
　　此外，该芯片也广泛应用于开放式框架电源（Open Frame Power Supplies），用于工业设备、网络通信设备、消费类电子产品等领域，作为次级侧同步整流的核心控制单元。在LED照明驱动电源中，OZ6933BN-D同样表现出色，能够在恒压输出架构下提供稳定的高效率整流控制，帮助延长灯具使用寿命并降低发热。
　　对于需要紧凑尺寸和高功率密度的设计，如超薄电视、显示器内置电源模块，OZ6933BN-D的小型DFN封装和无需辅助绕组的特性使其成为优选方案。同时，因其良好的动态响应能力和负载调整率，也可用于USB PD快充电源、多口输出充电站等新兴应用领域。总之，任何采用反激式拓扑且希望提升次级侧整流效率的电源系统都可以考虑使用OZ6933BN-D进行优化升级。