OSG65R125H是一款基于硅 carbide(SiC)技术的MOSFET功率晶体管。该器件具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度等特性,非常适合用于高频开关电源、电机驱动、光伏逆变器以及其他需要高效能量转换的应用场景。
这款MOSFET采用了先进的封装工艺,能够有效提升散热性能并降低寄生电感对开关性能的影响。由于其材料特性和设计优化,OSG65R125H在高温环境下依然保持稳定的性能表现。
最大漏源电压:1200V
最大连续漏极电流:65A
导通电阻:125mΩ(典型值,在25°C下)
栅极阈值电压:3.5V~5.5V
最大工作结温:175°C
热阻(结到壳):0.15°C/W
总栅极电荷:80nC
输入电容:1200pF
OSG65R125H采用碳化硅(SiC)技术制造,因此具备以下显著特性:
1. 高电压能力:支持高达1200V的工作电压,适合高压应用环境。
2. 低导通损耗:其典型的导通电阻仅为125mΩ,从而大幅降低了导通状态下的功耗。
3. 快速开关速度:由于SiC材料的优异特性,器件能够在纳秒级别完成开关操作,同时减少了开关损耗。
4. 热稳定性强:最高工作结温可达175°C,保证了在极端温度条件下的可靠性。
5. 高效率:在高频工作条件下仍能维持较高的系统效率,特别适用于要求高效的电力电子设备。
6. 耐热性能好:通过优化封装结构,进一步提升了器件的散热能力,延长使用寿命。
OSG65R125H广泛应用于以下领域:
1. 高频开关电源:如数据中心电源模块、通信基站电源等,能够提供更高效的电能转换。
2. 电动汽车:包括主驱逆变器、车载充电器以及DC-DC转换器等核心组件。
3. 工业自动化:例如伺服驱动器、机器人控制器和不间断电源(UPS)系统。
4. 光伏逆变器:提高太阳能发电系统的整体效率。
5. 风力发电机:作为变流器中的关键功率器件,确保稳定输出。
CMF65R120D,
C2M0065120D,
FGL65T12W,
STPSC65H12Y