ORWH-SH-112D1F 时间：2025/5/8 11:29:23 阅读：10

ORWH-SH-112D1F 是一款高性能的霍尔效应传感器芯片，广泛应用于磁场检测、速度测量和位置感应等领域。该芯片采用先进的CMOS技术制造，具有低功耗、高灵敏度和稳定的温度特性。其内置信号调理电路可提供精确的电压输出，适用于工业自动化、消费电子和汽车电子等多种场景。
　　该器件能够在较宽的工作电压范围内正常运行，并且具备过压保护和反接保护功能，确保在复杂环境下的可靠性。此外，ORWH-SH-112D1F 支持表面贴装封装（SOT-23），便于自动化生产和小型化设计。

参数

工作电压：3.8V~30V
　　工作温度范围：-40℃~150℃
　　灵敏度：5mT
　　输出类型：模拟电压
　　静态电流：10mA
　　响应时间：10μs
　　封装形式：SOT-23

特性

ORWH-SH-112D1F 的主要特性包括：
　　1. 高灵敏度：能够检测微弱的磁场变化，适用于精密应用。
　　2. 宽工作电压范围：支持从3.8V到30V的供电电压，适应多种电源系统。
　　3. 温度稳定性：芯片经过优化设计，即使在极端温度条件下也能保持性能稳定。
　　4. 低功耗：静态电流仅为10mA，有助于延长电池供电设备的使用寿命。
　　5. 小型化封装：采用SOT-23封装，体积小巧，适合空间受限的设计。
　　6. 内置保护功能：具备过压保护和反接保护，提高系统的可靠性和安全性。

应用

ORWH-SH-112D1F 被广泛应用于以下领域：
　　1. 汽车电子：用于速度传感器、刹车系统和发动机控制单元中的位置检测。
　　2. 工业自动化：用于无刷电机换向控制、流量计和液位传感器。
　　3. 消费电子：适用于手机配件、智能家居设备和玩具中的开关与检测功能。
　　4. 医疗设备：用于便携式医疗仪器中的非接触式传感功能。
　　5. 安防系统：用于门禁系统和入侵检测装置中的磁性开关功能。