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OR-M3054(L)-TP-G-(HB) 发布时间 时间:2025/7/4 7:22:33 查看 阅读:18

OR-M3054(L)-TP-G-(HB) 是一款高性能的MOSFET功率晶体管,专为需要高效能开关和低导通电阻的应用而设计。该器件采用了先进的制程技术,具备出色的电气性能和可靠性,适合用于电源管理、电机驱动以及各种工业控制领域。
  该型号中的 (L) 表示逻辑电平栅极驱动,TP 表示采用薄型封装,G 表示符合绿色无铅标准,(HB) 则表示高可靠性的筛选版本。其主要功能是通过低导通电阻实现高效的电流切换,同时保持较低的功耗和发热。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压Vds:60V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  连续漏极电流Id:110A
  导通电阻Rds(on):4mΩ
  栅极电荷Qg:95nC
  总功耗Ptot:180W
  工作温度范围Tj:-55°C to +175°C
  封装形式:TO-247

特性

这款MOSFET具有非常低的导通电阻,能够在大电流应用中显著降低功率损耗,从而提升系统的整体效率。
  此外,它支持逻辑电平驱动,可以与常见的微控制器或逻辑电路直接连接,无需额外的驱动级设计。
  由于采用了薄型封装和高可靠性筛选,该器件在恶劣环境下依然能够保持稳定的性能表现。
  还具备快速开关能力,适用于高频DC-DC转换器、同步整流器以及逆变器等场景。

应用

OR-M3054(L)-TP-G-(HB) 广泛应用于以下领域:
  - 开关电源(SMPS)
  - 电机驱动和控制
  - 工业自动化设备
  - 太阳能逆变器
  - 电动车牵引逆变器
  - 高效DC-DC转换器
  - 各种负载开关应用
  其强大的电流承载能力和低导通电阻使其成为高功率密度系统中的理想选择。

替代型号

IRFZ44N
  STP110N06LL
  FDP177N
  IXFN110N06T2