时间：2025/6/13 12:47:44
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OR-3H7D-TP-G 是一款高性能的贴片式功率MOSFET晶体管，适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，从而能够有效降低功耗并提高系统效率。
该型号具有出色的热性能和电气稳定性，能够在高温环境下长时间运行，同时其封装形式也便于散热和自动化生产。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：40A
导通电阻(Rds(on))：3mΩ
总电容(Ciss)：1200pF
栅极电荷(Qg)：45nC
工作温度范围(Tj)：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-220FP
OR-3H7D-TP-G 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可减少导通损耗，提升整体能效。
2. 快速开关速度，有助于降低开关损耗，并支持高频操作。
3. 高电流承载能力，适合大功率应用环境。
4. 良好的热稳定性和耐热冲击能力，确保在恶劣条件下可靠运行。
5. 小型化封装设计，简化了PCB布局与安装流程，同时提高了散热性能。
6. 内置保护机制，包括过流保护和短路保护功能，增强了系统的安全性。
这款功率MOSFET广泛应用于各种电子设备中，具体领域如下：
1. 开关电源(SMPS)，如AC-DC适配器、USB充电器等。
2. DC-DC转换器，在汽车电子、工业控制等领域非常普遍。
3. 电机驱动电路，用于控制步进电机、直流无刷电机等。
4. LED驱动器，用于高亮度LED照明系统。
5. 电池管理模块，例如电动车电池管理系统>6. 各种负载切换电路，用于实现高效节能的功率管理方案。
IRFZ44N
STP40NF06L
FDP5580
AO4402
