您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > OR-357PVG(A)-TP-G

OR-357PVG(A)-TP-G 发布时间 时间:2025/6/28 23:18:06 查看 阅读:8

OR-357PVG(A)-TP-G 是一款高性能的功率场效应晶体管(MOSFET),专为高频开关和高效能应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及各种工业电子设备中。

参数

型号:OR-357PVG(A)-TP-G
  类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vdss):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):35A
  导通电阻(Rds(on)):4mΩ (典型值,Vgs=10V)
  总功耗(Ptot):180W
  结温范围(Tj):-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247-3
  工作频率:高达1MHz

特性

这款 MOSFET 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻,有效降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关性能,能够支持高频应用需求。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的耐用性。
  4. 优异的热性能,确保在高功率条件下稳定运行。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  这些特性使得 OR-357PVG(A)-TP-G 成为高效率功率转换电路的理想选择。

应用

该元器件广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC 转换器的核心组件。
  3. 电机驱动控制中的功率级元件。
  4. 工业自动化设备中的功率调节。
  5. 太阳能逆变器以及其他新能源相关产品。
  OR-357PVG(A)-TP-G 凭借其卓越的性能和可靠性,满足了现代电子设备对高效能和小型化的需求。

替代型号

IRFZ44N
  STP36NF06L
  FDP177N6S