OR-357PVG(A)-TP-G 是一款高性能的功率场效应晶体管(MOSFET),专为高频开关和高效能应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及各种工业电子设备中。
型号:OR-357PVG(A)-TP-G
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vdss):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):35A
导通电阻(Rds(on)):4mΩ (典型值,Vgs=10V)
总功耗(Ptot):180W
结温范围(Tj):-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247-3
工作频率:高达1MHz
这款 MOSFET 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻,有效降低传导损耗,提升系统效率。
2. 快速开关性能,能够支持高频应用需求。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的耐用性。
4. 优异的热性能,确保在高功率条件下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
这些特性使得 OR-357PVG(A)-TP-G 成为高效率功率转换电路的理想选择。
该元器件广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC 转换器的核心组件。
3. 电机驱动控制中的功率级元件。
4. 工业自动化设备中的功率调节。
5. 太阳能逆变器以及其他新能源相关产品。
OR-357PVG(A)-TP-G 凭借其卓越的性能和可靠性,满足了现代电子设备对高效能和小型化的需求。
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