OQ2535C4 时间：2025/12/27 20:55:10 阅读：9

OQ2535C4是一款由Onsemi（安森美）公司生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的TrenchMOS技术制造，专为高效率、高密度电源转换应用设计。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、优异的开关性能和良好的热稳定性，适用于多种中高功率应用场景。OQ2535C4通常采用SO-8封装形式，具备良好的散热能力，同时兼容标准表面贴装工艺，适合自动化生产流程。该MOSFET在同步整流、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等电路中表现优异，能够有效降低系统功耗并提升整体能效。其栅极阈值电压适中，可与常见的逻辑电平驱动信号兼容，便于集成到数字控制电源系统中。此外，器件内部结构经过优化，具备较强的抗雪崩能力和较高的可靠性，能够在严苛的工作环境下稳定运行。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：18A
　　脉冲漏极电流（IDM）：72A
　　导通电阻RDS(on) @VGS=10V：4.5mΩ
　　导通电阻RDS(on) @VGS=4.5V：6.3mΩ
　　栅极电荷（Qg）@10V：19nC
　　输入电容（Ciss）：1070pF
　　开启延迟时间（td(on)）：10ns
　　关断延迟时间（td(off)）：28ns
　　反向恢复时间（trr）：24ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SO-8

特性

OQ2535C4采用安森美先进的TrenchMOS沟槽型工艺技术，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少导通损耗，提高系统效率。其在VGS=10V时的典型RDS(on)仅为4.5mΩ，在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平，有助于实现更小的温升和更高的功率密度。该器件的低栅极电荷（Qg=19nC）和低输入电容（Ciss=1070pF）使其具备快速开关能力，适用于高频开关电源设计，如同步降压转换器和多相VRM架构。由于其优异的动态参数匹配，OQ2535C4在硬开关和软开关拓扑中均表现出色。
　　该MOSFET的SO-8封装不仅体积小巧，节省PCB空间，还通过封装底部的裸露焊盘实现高效散热，配合合理的PCB布局可将热阻控制在较低水平，确保长时间高负载运行下的可靠性。器件具备良好的栅极氧化层可靠性，经受严格的HTRB（高温反向偏压）测试，保证长期使用的稳定性。其反向恢复特性优良，体二极管的反向恢复电荷（Qrr）较小，减少了开关过程中的能量损耗和电压尖峰，降低了电磁干扰（EMI），提升了系统安全性。
　　OQ2535C4支持宽温度范围工作（-55°C至+150°C），可在工业级和汽车级环境中可靠运行。器件符合RoHS环保要求，并通过了AEC-Q101车规级认证，适用于车载电子系统。其引脚排列符合标准SO-8规范，便于替换其他厂商的同类产品，提升了设计灵活性。总体而言，OQ2535C4是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于对效率和空间有严格要求的应用场景。

应用

OQ2535C4广泛应用于各类中高功率电源管理系统中。其主要应用包括同步整流式DC-DC降压转换器，特别是在多相 buck 转换器中作为下管或上管使用，能够有效降低导通损耗，提升转换效率。在服务器、笔记本电脑、显卡等设备的电压调节模块（VRM）中，该器件因其低RDS(on)和快速开关特性而备受青睐。此外，OQ2535C4也常用于电池供电系统的负载开关和热插拔控制电路中，提供低损耗的通断控制功能。
　　在电机驱动领域，OQ2535C4可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为功率开关元件，实现精确的转速和方向控制。其高电流承载能力和良好的热性能使其适用于短时大电流冲击场景。在LED照明驱动电源中，该器件可用于恒流源的开关控制部分，提升驱动效率并减少发热。
　　由于其通过AEC-Q101认证，OQ2535C4也被广泛应用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统电源、车身控制模块、电动助力转向（EPS）辅助电源等。此外，在工业自动化设备、通信电源、便携式医疗设备等领域也有广泛应用。其紧凑的封装和优异的电气性能使其成为高密度电源设计的理想选择。