OQ2504WP 时间：2025/12/27 21:13:22 阅读：12

OQ2504WP是一款由Onsemi（安森美）公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器以及负载开关等高效率、低功耗场景。该器件采用先进的TrenchFET技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），有助于减少传导损耗并提升系统整体能效。其封装形式为WDFN-8L（3.3x3.3mm），属于小型化表面贴装封装，适合对空间要求较高的便携式电子产品和高密度PCB布局设计。OQ2504WP在栅极驱动电压方面兼容逻辑电平输入，通常在4.5V至10V的VGS范围内可实现充分导通，便于与现代微控制器或PWM控制器直接接口，无需额外的电平转换电路。此外，该MOSFET具备优良的热性能和可靠性，在工业级温度范围内（-55°C至+150°C）稳定工作，适用于多种严苛环境下的应用需求。

参数

型号：OQ2504WP
　　制造商：Onsemi (安森美)
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大连续漏极电流（ID）：16A（@TC=25°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：64A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：5.3mΩ @ VGS=10V；7.1mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：1.2V ~ 2.3V
　　栅极电荷（Qg）：14nC @ VGS=10V
　　输入电容（Ciss）：590pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间（trr）：18ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：WDFN-8L (3.3x3.3mm)

特性

OQ2504WP采用了安森美的高性能TrenchFET?沟槽型工艺技术，显著优化了器件的导通电阻与栅极电荷之间的平衡，从而实现了卓越的开关性能和导通效率。其超低RDS(on)特性使得在大电流应用中能够有效降低功率损耗，减少发热，提高系统能效，尤其适用于电池供电设备中延长续航时间。该器件的栅极结构经过专门设计，具备良好的抗dv/dt干扰能力，并且拥有较低的米勒电容（Crss），有助于减少开关过程中的寄生导通风险，提升在高频开关环境下的稳定性。
　　此外，OQ2504WP具备优异的热传导性能，得益于WDFN-8L封装底部集成的散热焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传递至内层或底层，实现高效散热。这种设计使其即使在紧凑型电源模块中也能维持较低的工作温度，增强了长期运行的可靠性。器件还通过了AEC-Q101汽车级认证，表明其在振动、湿度、温度循环等恶劣条件下仍能保持稳定的电气性能，适用于车载电子系统如LED驱动、电机控制和车载充电模块等。
　　该MOSFET的体二极管具有较快的反向恢复特性（trr=18ns），可在同步整流或感性负载切换过程中减少反向恢复电荷带来的能量损耗和电压尖峰，从而降低EMI干扰并保护主开关器件。同时，其静电放电（ESD）防护能力较强，HBM模型下可达±2000V，提升了生产装配过程中的鲁棒性。综合来看，OQ2504WP凭借其低导通阻抗、高电流承载能力、小尺寸封装及出色的热管理特性，成为现代高效电源系统中理想的功率开关选择。

应用

OQ2504WP广泛应用于各类需要高效能、小体积功率开关的电子系统中。典型应用场景包括同步降压转换器（Buck Converter）中的上管或下管，尤其在多相VRM（电压调节模块）中用于CPU或GPU供电时表现优异；也可用于升压变换器（Boost Converter）和半桥/全桥拓扑结构中的功率级开关元件。由于其支持逻辑电平驱动，常被用于负载开关电路中，实现对电源路径的快速通断控制，例如在便携式设备中管理显示屏、摄像头模组或其他外设的供电。
　　在电池管理系统（BMS）中，OQ2504WP可用于充放电回路的主控开关，利用其低RDS(on)减少能量损耗并提升续航能力。此外，在电动工具、无人机、智能家居设备以及工业自动化控制系统中，该器件也常作为电机驱动电路中的功率开关，配合H桥结构实现正反转控制。得益于其符合汽车级可靠性的特点，OQ2504WP还可用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器电源管理、车内照明LED驱动等汽车电子领域。
　　在服务器和通信电源模块中，该MOSFET可用于DC-DC中间母线转换器的同步整流部分，帮助提升整体转换效率。其小型化WDFN封装特别适合高密度PCB布局，满足现代电子产品对轻薄化和微型化的需求。总之，OQ2504WP适用于所有追求高效率、高可靠性与紧凑设计的中低压功率开关应用场合。