时间：2025/12/27 21:48:08
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OQ2504是一款由Onsemi（安森美）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等高效率、高频率的开关电路中。该器件采用先进的TrenchMOS技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度和良好的热稳定性，能够在较小的封装尺寸下实现较高的电流承载能力。OQ2504通常采用SO-8或类似的小型表面贴装封装，适合对空间要求严格的便携式电子设备和高密度PCB布局设计。其栅极阈值电压适中，可与常见的逻辑电平驱动信号兼容，便于在多种控制系统中直接使用。此外，该MOSFET具备优良的雪崩能量耐受能力和抗瞬态过压能力，提升了系统在异常工况下的可靠性。OQ2504的工作结温范围一般为-55°C至+150°C，支持工业级和汽车级应用环境，适用于需要长期稳定运行的场合。得益于Onsemi在功率半导体领域的深厚积累，OQ2504在性能与成本之间实现了良好平衡，是中低功率开关应用中的优选器件之一。
型号：OQ2504
制造商：Onsemi
器件类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大连续漏极电流（ID）：7.3A
最大脉冲漏极电流（IDM）：29A
导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：22mΩ
导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：28mΩ
栅极阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V
栅极电荷（Qg）：12nC @ VDS=15V, ID=7.3A
输入电容（Ciss）：520pF @ VDS=15V
反向恢复时间（trr）：28ns
工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
封装类型：SO-8
OQ2504具备多项优异的电气和物理特性，使其在现代电源管理系统中表现出色。首先，其低导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效，尤其在大电流持续工作的场景中优势明显。例如，在电池供电设备中，低RDS(on)意味着更少的能量以热量形式耗散，从而延长了续航时间并减少了散热设计的复杂性。其次，该器件采用了先进的沟道结构设计，优化了载流子迁移路径，提升了开关速度，使得在高频PWM控制下仍能保持较低的开关损耗，这对于DC-DC降压或升压转换器至关重要。同时，其较小的栅极电荷（Qg）降低了驱动电路的功耗需求，允许使用低成本的驱动芯片或微控制器GPIO直接驱动，简化了系统设计。
OQ2504还具备良好的热性能，其封装设计具有较低的热阻（RθJC），能够有效地将内部产生的热量传导至PCB，结合合理的布局和铺铜设计，可在不使用额外散热片的情况下处理较高的功耗。此外，该MOSFET内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，有助于减少在感性负载切换时产生的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升系统的电磁兼容性。在可靠性方面，OQ2504通过了AEC-Q101汽车级认证，具备出色的抗湿热循环、机械振动和电气应力能力，适用于车载电子、工业控制等严苛环境。综合来看，OQ2504凭借其高性能、高可靠性和紧凑封装，成为众多中低功率开关应用的理想选择。
OQ2504的应用领域广泛，涵盖了消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等多个行业。在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和移动电源，OQ2504常用于同步整流型DC-DC转换器中作为主开关或整流开关，利用其低导通电阻和快速响应特性提高电源转换效率，降低发热。在笔记本电脑和主板电源管理模块中，它可用于VRM（电压调节模块）或多相供电系统中，承担能量传递和稳压功能。
在电机驱动应用中，OQ2504可用于H桥或半桥拓扑结构中的低端开关，控制直流电机或步进电机的启停和方向，其快速开关能力和耐电流冲击性能确保了电机运行的平稳性。此外，在LED驱动电路中，该器件可用于恒流调节或PWM调光控制，提供精确的电流控制和高亮度稳定性。
在汽车电子系统中，OQ2504可用于车身控制模块（BCM）、车灯控制、风扇驱动和电池管理系统（BMS）中的充放电开关控制。由于其通过AEC-Q101认证，能够在-40°C至+125°C甚至更高温度环境下长期稳定工作，满足汽车应用对可靠性的严苛要求。在工业自动化设备中，如PLC、传感器电源和继电器驱动电路，OQ2504也发挥着重要作用，作为负载开关或隔离开关，实现对执行机构的安全通断控制。总之，OQ2504凭借其通用性和高性能，已成为现代电子系统中不可或缺的核心功率器件之一。
NTD2504N-D
FQP27P06
