ONET1151LRGET是一款高性能的光耦合器,广泛应用于需要电气隔离的电路中。该器件内部集成了一个发光二极管(LED)和一个光电晶体管,通过光信号实现输入与输出之间的电气隔离。它具有高共模抑制比、低传输延迟和良好的温度稳定性等特点,适合在工业控制、通信设备以及消费类电子产品中使用。
该芯片采用标准的DIP封装形式,便于安装和焊接,同时提供了较高的隔离电压和可靠的性能表现。
工作温度范围:-40℃至+125℃
隔离电压:5300Vrms
电流传输比(CTR):100% 至 300%
上升时间:2μs 典型值
下降时间:1.5μs 典型值
输入LED正向电压:1.2V 至 1.6V
最大输入电流:60mA
输出集电极-发射极电压:70V
输出集电极电流:50mA
ONET1151LRGET的主要特性包括以下几点:
1. 高度电气隔离,适用于噪声环境下的信号传输。
2. 支持宽广的工作温度范围,能够在极端环境下稳定运行。
3. 提供快速的响应时间,确保数据传输的实时性。
4. 内置过压保护功能,有效防止瞬态电压对芯片的损害。
5. 符合国际安全标准,如UL1577认证,保证产品的可靠性。
6. 采用环保材料制造,符合RoHS指令要求。
7. 广泛的应用场景使其成为工业级设计的理想选择。
ONET1151LRGET适用于多种领域,包括但不限于以下应用:
1. 工业自动化设备中的信号隔离。
2. 电源管理模块的反馈控制电路。
3. 变频器及伺服驱动器中的隔离接口。
4. 医疗设备中的患者接触部分的安全隔离。
5. 消费类电子产品的输入/输出接口设计。
6. 数据通信系统中的高速隔离通道。
7. 继电器驱动和电机控制等强电弱电隔离需求场景。
TLP281-4, PS2815, ACPL-K39L