类型：NPN RF晶体管
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：12V
　　集电极电流（IC）：50mA
　　直流电流增益（hFE）：75 - 300（典型值约200）
　　特征频率（fT）：6.5GHz
　　噪声系数（NF）：1.1dB @ 1GHz, VCE=3V, IC=5mA
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：15V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：2.5V
　　最大功耗（Ptot）：250mW
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

ON5030/BFS520的核心优势在于其出色的射频性能和低噪声能力。该器件在1GHz频率下的典型噪声系数仅为1.1dB，配合高达6.5GHz的特征频率（fT），使其在高频小信号放大应用中表现出色。尤其是在低偏置电流（如5mA）条件下仍能维持较低的噪声水平，这对需要长期运行且对功耗敏感的应用至关重要。其高增益特性确保了即使输入信号非常微弱，也能被有效放大而不会引入过多失真。
　　该晶体管采用了SiGe:C异质结双极工艺，显著提升了载流子迁移速度并降低了基区电阻，从而优化了高频响应和功率增益。同时，该工艺增强了器件的热稳定性，避免了传统硅器件在高温环境下增益下降的问题。此外，其紧凑的SOT-23封装不仅节省空间，还通过优化引脚布局减少了引线电感，有助于减少高频信号路径中的寄生效应。
　　BFS520在不同电源电压（1.8V至5V）下均能稳定工作，适用于多种供电环境。它在蜂窝通信系统中常用于接收链路的第一级放大，作为低噪声放大器（LNA）以提高整个系统的信噪比。由于其良好的线性度，也可用于混频器之前的信号预放大或振荡器的缓冲级。器件还具备较强的抗静电能力（HBM ESD耐压可达2kV以上），提高了在自动化装配过程中的鲁棒性。
　　总体而言，ON5030/BFS520以其优异的高频性能、低噪声、高增益和可靠的制造工艺，成为现代无线通信系统中不可或缺的关键元件。其综合性能优于多数同类通用射频晶体管，特别适合对尺寸、功耗和性能有严格要求的应用场景。

ON5030/BFS520主要应用于各类高频模拟和射频电路中，尤其适用于需要低噪声放大的场合。其典型应用场景包括蜂窝通信基站中的低噪声放大器（LNA），用于增强接收到的微弱无线信号，提升系统灵敏度；在GSM、CDMA、LTE等移动通信模块中，该器件常被集成于前端射频接收链路，执行第一级信号放大任务。
　　此外，它也广泛用于无线局域网（WLAN）、蓝牙、ZigBee、LoRa等短距离无线通信设备中，特别是在物联网传感器节点、智能家居终端和可穿戴设备中发挥重要作用。这些设备通常依赖电池供电，因此对功耗极为敏感，而BFS520在低电流下仍能保持良好性能的特点正好契合此类需求。
　　在测试与测量仪器领域，该晶体管可用于构建宽带前置放大器或高频信号调理电路，确保原始信号在进入主处理器前不受噪声干扰。另外，由于其频率响应可达数GHz级别，也可用于UHF频段的电视调谐器、RFID读写器以及卫星通信地面站的小信号处理模块。
　　值得一提的是，该器件还可作为本地振荡器（LO）缓冲放大器使用，将压控振荡器（VCO）输出的信号进行隔离和驱动，防止负载变化影响振荡稳定性。总之，无论是在消费电子、工业控制还是电信基础设施中，只要涉及高频小信号放大，ON5030/BFS520都是一个可靠且高效的选择。

MMBT3904BLT1G
　　PMBFJ113
　　BFR92A
　　2SC3838
　　BCX56-10