类型：双N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：5.4A
　　脉冲漏极电流（Idm）：16A
　　导通电阻Rds(on)：28mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻Rds(on)：37mΩ @ Vgs=4.5V
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：520pF @ Vds=15V
　　输出电容（Coss）：190pF @ Vds=15V
　　反向传输电容（Crss）：50pF @ Vds=15V
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23-6 或 DFN
　　功率耗散（Pd）：1.4W

ON4952的首要特性是其双N沟道MOSFET结构，允许在同一封装内集成两个独立的功率开关，极大地提升了电路设计的灵活性和集成度。这种设计不仅减少了外部元件数量，还能有效降低布局复杂性和寄生电感的影响，从而提高系统的整体效率和稳定性。每个MOSFET都具备较低的导通电阻，典型值在37mΩ左右（当Vgs=4.5V时），这意味着在大电流通过时产生的热量较少，有助于提升能效并减少散热需求。此外，该器件支持高达5.4A的连续漏极电流，足以应对大多数中等功率应用的需求。
　　其次，ON4952具有出色的开关性能。其输入电容仅为520pF，输出电容为190pF，这使得它在高频开关应用中表现出色，能够实现快速的开启和关断动作，减少开关损耗。这对于DC-DC转换器、同步整流和其他高频电源拓扑尤为重要。同时，其阈值电压范围为1.0V至2.5V，确保了在低电压逻辑信号下也能可靠触发，兼容3.3V或更低的微控制器输出，增强了系统的通用性。
　　再者，ON4952采用了先进的封装技术，如SOT-23-6或DFN，这些封装不仅体积小巧，有利于节省PCB空间，而且具有良好的热传导性能，有助于将内部产生的热量迅速散发出去，防止因过热导致的性能下降或损坏。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，表明其可在极端环境条件下正常运行，适用于工业控制、汽车电子等多种严苛应用场景。
　　最后，ON4952符合RoHS指令要求，采用无铅焊接工艺，不含六价铬、多溴联苯（PBB）和多溴二苯醚（PBDE）等有害物质，体现了绿色环保的设计理念。同时，该器件具备一定的ESD防护能力，提高了在生产、运输和使用过程中的可靠性，降低了因静电放电造成失效的风险。综合来看，ON4952凭借其高性能、小尺寸、高可靠性和环保特性，成为众多电源管理应用中的优选器件。

ON4952广泛应用于多种电子系统中，尤其是在对空间和能效有严格要求的便携式设备中表现突出。常见应用包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑等移动终端中的电源开关和负载管理模块。在这些设备中，ON4952可用于控制不同功能模块的供电通断，例如显示屏背光、无线通信模块（Wi-Fi、蓝牙）或外设接口的电源供应，从而实现按需供电，延长电池续航时间。
　　此外，该器件也常用于DC-DC降压或升压转换器中的同步整流部分，替代传统的肖特基二极管以降低导通损耗，提高转换效率。在电机驱动电路中，ON4952可作为H桥驱动的一部分，控制小型直流电机或步进电机的正反转及启停操作，适用于玩具、家用电器和小型机器人等产品。
　　在工业控制系统中，ON4952可用于继电器驱动、传感器电源切换或LED照明控制等场合，利用其快速响应能力和高耐压特性来保障系统稳定运行。由于其具备良好的温度适应性和抗干扰能力，也可应用于汽车电子系统，如车身控制模块、车载信息娱乐系统或辅助照明控制单元中。
　　另外，由于其封装小巧且易于表面贴装，ON4952非常适合用于高密度印刷电路板设计，尤其适用于消费类电子产品的大批量自动化生产流程。无论是用于电源管理、信号切换还是功率放大，ON4952都能提供可靠的性能支持，满足多样化的设计需求。

FDMT66712, SI3456DV, NXH2L2D2N