类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　连续漏极电流（Id）：5.8A
　　脉冲漏极电流（Idm）：23A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：18mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：22mΩ @ Vgs=4.5V
　　栅极电荷（Qg）：10nC @ Vds=15V
　　输入电容（Ciss）：500pF @ Vds=15V
　　反向恢复时间（trr）：18ns
　　开启延迟时间（td(on)）：10ns
　　关断延迟时间（td(off)）：28ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

ON4476采用先进的TrenchMOS工艺技术，这种结构通过优化沟道设计显著降低了导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效。其典型的Rds(on)仅为18mΩ（在Vgs=10V条件下），即使在较低的栅极驱动电压下（如4.5V），也能保持22mΩ的低阻值，确保在电池供电系统中即使电压下降仍能有效工作。这一特性使其非常适合用于高效率的同步整流、负载开关和H桥驱动电路。
　　该器件具有快速的开关响应能力，得益于较低的栅极电荷（Qg=10nC）和输入电容（Ciss=500pF），能够实现高频开关操作而不会引入过多的驱动损耗。这对于现代开关电源设计尤为重要，尤其是在便携式设备中追求小型化电感和电容的应用场景。同时，较短的开启延迟时间（10ns）和关断延迟时间（28ns）有助于减少开关过程中的交越损耗，进一步提升系统效率。
　　ON4476具备良好的热性能和可靠性，在高电流负载下仍能保持稳定工作。其最大连续漏极电流可达5.8A，脉冲电流支持高达23A，适用于需要瞬时大电流输出的应用，如电机启动或LED闪光驱动。此外，器件内置的体二极管具有较快的反向恢复时间（trr=18ns），有助于减少在感性负载切换时产生的电压尖峰，降低电磁干扰风险。
　　该MOSFET的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，能够在极端环境条件下可靠运行，满足工业级和汽车级应用的要求。SOT-23封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，配合适当的布局设计可有效传导热量。总体而言，ON4476是一款集高性能、小尺寸和高可靠性于一体的N沟道MOSFET，适用于多种中低功率开关应用。

ON4476广泛应用于各类需要高效开关控制的电子系统中。在便携式消费电子产品中，常被用作电池供电系统的负载开关或电源路径管理器件，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源选通控制。其低导通电阻和小封装特性有助于延长电池续航并节省布板空间。
　　在DC-DC转换器拓扑中，ON4476可用于同步整流器结构，替代传统的肖特基二极管以降低导通损耗，提高转换效率，特别是在降压（Buck）变换器的下管位置表现优异。它也适用于电压反转电路、OR-ing二极管以及电机驱动模块中的低端开关元件。
　　工业控制领域中，该器件可用于继电器驱动、传感器电源控制和LED照明调光电路。由于其具备较强的瞬态电流承载能力和良好的热稳定性，适合在环境温度变化较大的场合使用。此外，在通信设备和网络模块中，ON4476可用于隔离不同电源域或实现热插拔功能中的电源开关控制。
　　汽车电子系统中，尽管ON4476并非专为AEC-Q101认证设计，但在非关键性的车载辅助电路中仍有应用潜力，例如车灯控制、小型风扇驱动或车载信息娱乐系统的电源管理部分。总之，ON4476凭借其出色的电气性能和紧凑的封装形式，成为众多中低功率开关应用的理想选择。

AO4476, FDS4476, SI4476, DMG4476