类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：100V
　　最大集电极电流（IC）：1.5A
　　最大功耗（PD）：10W
　　频率响应（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110 - 800（根据等级不同）
　　封装形式：TO-52
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

OM137HVNT/883B 具备出色的高压耐受能力，其 VCEO 达到 100V，这使得它能够在高电压环境中稳定运行。此外，该器件具备较高的频率响应（fT=100MHz），适用于需要快速开关的应用场景。
　　该晶体管采用了高质量的硅材料和先进的制造工艺，确保了较低的饱和压降（VCE(sat)），从而减少了导通损耗并提高了能效。同时，它的 hFE 值范围较宽（从110到800），用户可以根据具体应用需求选择合适的增益等级。
　　由于其 TO-52 封装结构具有良好的散热性能，OM137HVNT/883B 在高温环境下仍可保持稳定的工作状态。该器件符合 MIL-PRF-19500 JANTX 等级标准，适用于军事、航天等对可靠性要求极高的场合。
　　此外，OM137HVNT/883B 的设计还考虑到了长期使用的稳定性，其内部结构和封装材料均经过严格筛选，以确保在极端温度变化和高湿度条件下的可靠性和寿命。

OM137HVNT/883B 主要用于需要高压、高频和高可靠性的电路设计中。典型应用包括电源开关电路、电机驱动器、继电器驱动器、DC-DC 转换器、工业自动化控制系统、测试设备以及航空航天电子模块等。
　　在电源管理领域，该晶体管可以作为主控开关元件使用，利用其高电压耐受能力和低导通压降来提升整体系统的效率。在工业控制应用中，它常用于驱动大功率负载如直流电机、加热元件或高亮度 LED 阵列。
　　由于其军用级别的可靠性认证，OM137HVNT/883B 也广泛应用于航空电子系统中的传感器接口电路、飞行控制系统中的执行机构驱动电路等关键部件中。
　　此外，在测试与测量设备中，该晶体管可用于构建精密放大器、高速脉冲发生器以及其他模拟或数字信号处理电路。

2N6387, BC547B, PN2222A