OFAF0H200 时间：2025/12/28 21:44:54 阅读：15

OFAF0H200 是一款由 STMicroelectronics 生产的先进功率 MOSFET 器件，专为高效率、高频率的功率转换应用而设计。该器件采用了先进的沟槽栅极技术和优化的硅片设计，能够在高开关频率下提供出色的性能和低导通损耗。OFAF0H200 特别适用于电源管理、DC-DC 转换器、同步整流、电池管理系统以及各种高功率电子设备中。其封装设计有助于提高散热效率，确保在高温环境下稳定运行。

参数

类型：功率 MOSFET
　　封装类型：TO-220
　　最大漏极电流 (ID)：120A
　　最大漏源电压 (VDS)：200V
　　导通电阻 (RDS(on))：典型值为 3.5mΩ，最大值 4.5mΩ（在 VGS=10V）
　　栅极电荷 (Qg)：典型值为 150nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　最大功耗 (Ptot)：200W
　　短路耐受能力：有

特性

OFAF0H200 MOSFET 具有多个显著的技术优势和性能特点。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流条件下，导通损耗最小化，从而提高了整体系统效率。这在高功率密度应用中尤为重要。其次，器件采用了先进的沟槽栅极技术，优化了导通特性和开关速度，使其能够在高频开关条件下保持良好的性能。这使得 OFAF0H200 非常适合用于高性能 DC-DC 转换器和同步整流器等应用。
　　此外，OFAF0H200 具备较高的短路耐受能力，能够在极端工作条件下提供额外的安全保障。其 TO-220 封装设计不仅具备良好的热管理能力，还能确保在高功率运行时保持稳定的工作温度。该器件的工作温度范围宽广（-55°C 至 +175°C），使其适用于各种恶劣环境下的应用，如工业控制系统、电动汽车和电池管理系统等。
　　从制造和应用的角度来看，OFAF0H200 提供了可靠的长期稳定性和耐用性，符合严格的工业标准。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高系统响应速度。同时，该器件还具备较高的雪崩能量耐受能力，使其在突发的过压或过流情况下仍能保持正常运行，提升了系统的整体可靠性。
　　综合来看，OFAF0H200 是一款适用于多种高功率应用场景的高性能 MOSFET 器件，其低导通电阻、高开关频率响应、优异的热管理和稳定性使其成为工业、汽车和消费类电子产品中电源管理电路的理想选择。

应用

OFAF0H200 MOSFET 主要应用于各类高功率电源管理系统，如高性能 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电动车辆和混合动力汽车的电源模块、工业自动化控制系统以及大功率电机驱动电路。此外，该器件也广泛用于服务器电源、不间断电源（UPS）以及各类高功率 LED 照明驱动系统中。