OFAF000H25 时间：2025/12/28 21:33:09 阅读：7

OFAF000H25 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，具备低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，适用于 DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统以及电源管理模块等场景。OFAF000H25 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供了优异的热性能和电流处理能力。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：250 V
　　最大漏极电流 Id：1.5 A
　　导通电阻 Rds(on)：约 2.5 Ω（典型值）
　　栅极阈值电压 Vgs(th)：2 V 至 4 V
　　最大功耗 Pd：30 W
　　封装形式：TO-92
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

OFAF000H25 MOSFET 具备多项优良特性，首先是其低导通电阻，能够在导通状态下降低功率损耗，提高系统效率。
　　其次，其最大漏源电压可达 250V，使其适用于中高电压的电源转换系统，如开关电源（SMPS）和 LED 驱动器。
　　此外，OFAF000H25 的栅极阈值电压范围适中，便于与标准逻辑电平驱动器配合使用，简化控制电路的设计。
　　该器件还具备良好的热稳定性，采用 TO-92 封装，具有较高的散热性能，适合在紧凑型电路中使用。
　　同时，OFAF000H25 还具备较高的抗雪崩击穿能力和良好的短路耐受能力，增强了器件在严苛工作环境下的可靠性和稳定性。
　　其工作温度范围广泛（-55°C 至 +150°C），适用于工业级和汽车电子应用。

应用

OFAF000H25 主要应用于电源管理和功率控制领域。典型应用包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器中的开关元件，特别是在低功率适配器、充电器、LED 照明驱动电路中广泛使用。
　　该器件也适用于电机控制电路、继电器驱动器和电池管理系统中的高边开关应用。
　　此外，OFAF000H25 还可用于工业自动化设备、智能家电、电源管理模块及汽车电子系统中的低功耗高电压控制场合。
　　由于其良好的热性能和稳定的电气特性，它也适合用于需要长时间稳定工作的嵌入式系统中。