OFAA00H50 时间：2025/12/28 21:44:17 阅读：9

OFAA00H50 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率、高频的电源管理应用，如开关电源（SMPS）、电机驱动、电池充电器以及 DC-DC 转换器等。这款 MOSFET 具备低导通电阻、高耐压和高电流承载能力，适用于要求高效能和高可靠性的电子系统。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：50A
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：约7.5mΩ（典型值）
　　功耗（Ptot）：200W
　　封装形式：TO-263（D2PAK）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

OFAA00H50 的最大特点在于其低导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流工作时的导通损耗显著降低，从而提升整体系统的效率。此外，该器件具有高耐压能力（Vds 最大为 100V），能够承受较高的电压应力，适用于中高功率的 DC-DC 转换和电源管理系统。其封装形式为 TO-263（D2PAK），具备良好的散热性能，适用于表面贴装技术（SMT），提高了组装效率。
　　该 MOSFET 还具备高雪崩能量承受能力，能够在突发性电压尖峰或负载突变的情况下保持稳定运行，提高了系统的可靠性和耐用性。栅极驱动电压范围宽（±20V），兼容多种驱动电路设计。此外，由于其封装设计优化，OFAA00H50 能够有效降低热阻，从而在高温环境下依然保持良好的性能。

应用

OFAA00H50 适用于多种高功率应用场景，包括但不限于开关电源（SMPS）、电机控制电路、电池管理系统（BMS）、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）、工业自动化设备以及汽车电子系统等。其高效率和高可靠性的特点使其在电动车充电模块、太阳能逆变器和储能系统中也有广泛应用。此外，该器件也常用于高功率负载的开关控制，例如继电器替代、高亮度 LED 驱动等场景。