型号：OB2LID112-156.25M
　　输出频率：156.25 MHz
　　频率稳定度：±50 ppb（-40°C 至 +85°C）
　　老化率：≤±50 ppb/年
　　电源电压：3.3V ±0.3V 或 5V ±0.5V（依具体子型号而定）
　　输出波形：CMOS/TTL 兼容
　　上升/下降时间：< 2 ns
　　相位噪声：-150 dBc/Hz @ 10 kHz offset, -160 dBc/Hz @ 100 kHz offset
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +105°C
　　预热时间：≤3分钟（至稳定状态）
　　功耗：典型值 1.8W（加热稳定期间略高）
　　封装形式：7.0 x 5.0 mm 表面贴装金属封装
　　重量：约 1.8g

OB2LID112-156.25M的核心优势在于其卓越的频率稳定性与极低的相位噪声表现，这得益于其内置的高Q值石英谐振器与精密恒温控制系统。该振荡器采用双层恒温结构设计，内层加热腔体可将晶体单元维持在恒定温度点（通常设定在+85°C左右），有效消除外界环境温度波动对频率的影响，从而实现±50 ppb以内的全温频率偏差。其相位噪声性能优异，在10 kHz频偏处可达-150 dBc/Hz，100 kHz处为-160 dBc/Hz，满足高速串行通信如100G/400G以太网、OTN（光传输网络）中对低抖动时钟源的严苛要求。器件内部集成了低噪声线性稳压电路和滤波网络，显著降低电源引入的噪声干扰，提升整体信号纯净度。此外，该OCXO具备良好的短期稳定性（Allan方差在1秒积分时间内优于1×10^-12），适用于高精度时间同步协议如PTP（精确时间协议）和SyncE（同步以太网）。其老化特性经过优化，首年老化率控制在±50 ppb以内，并随时间逐渐趋于平稳，确保系统长期运行无需频繁校准。启动过程中，内部智能温控算法可在3分钟内完成预热并进入稳定工作状态，相比传统OCXO大幅缩短等待时间，提升系统可用性。封装方面采用密封金属壳体，防止湿气和污染物侵入，延长使用寿命，并提供出色的抗振动和抗冲击能力，适用于户外基站、航空航天及工业控制等恶劣环境。整个制造过程遵循RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，兼容现代自动化生产流程。
　　

OB2LID112-156.25M主要应用于对时钟精度和稳定性有极高要求的高端电子系统中。在电信领域，它被广泛用于同步数字体系（SDH）、分组传输网络（PTN）、光传送网（OTN）以及5G基站中的主控时钟模块，作为主参考时钟（PRC）或节点时钟（T-BC/T-TSC）使用，满足ITU-T G.811/G.812规范要求。在数据中心和高速通信接口中，该器件为100 Gigabit Ethernet、400G SerDes链路提供低抖动参考时钟，显著降低误码率，提升链路可靠性。此外，在测试与测量设备如示波器、频谱分析仪、信号发生器中，OB2LID112-156.25M作为核心时基源，保障仪器测量精度和重复性。其高稳定性也使其适用于卫星通信地面站、雷达系统、导航定位设备等国防与航空航天应用。在金融交易系统中，高频交易服务器依赖此类高精度时钟实现微秒级时间戳同步，确保交易顺序准确。由于其输出频率恰好匹配常见的SerDes参考时钟标准（如CPRI、JESD204B/C），因此也在无线射频拉远单元（RRU）、FPGA高速接口、ADC/DAC采样系统中发挥关键作用。工业自动化领域的高精度PLC、运动控制器和分布式I/O系统也可利用该器件提升系统同步性能。总体而言，任何需要长期稳定、低相噪、高精度频率源的场景都是OB2LID112-156.25M的理想应用领域。