型号：O52JO-WUN-50M
　　输出频率：50 MHz
　　频率稳定性（温度）：±50 ppb（-30°C 至 +75°C）
　　老化率（第一年）：≤±50 ppb/年
　　供电电压：5 V ±5%
　　工作电流：≤120 mA
　　输出波形：HCMOS/TTL
　　上升时间：≤8 ns
　　下降时间：≤8 ns
　　占空比：45% ~ 55% @ 1.4 V
　　相位噪声（1 Hz 偏移）：-100 dBc/Hz
　　相位噪声（10 Hz 偏移）：-140 dBc/Hz
　　相位噪声（100 Hz 偏移）：-150 dBc/Hz
　　相位噪声（1 kHz 偏移）：-155 dBc/Hz
　　启动时间：≤90 秒
　　工作温度范围：-30°C 至 +75°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +85°C
　　封装类型：DIP-8 金属封装
　　尺寸：约 25.4 mm x 25.4 mm x 12.7 mm
　　重量：约 15 g

O52JO-WUN-50M 恒温晶体振荡器的核心优势在于其卓越的频率稳定性和极低的相位噪声性能，这使其成为高端通信和精密计时系统的理想选择。其频率稳定性在全工作温度范围内可控制在 ±50 ppb 以内，这意味着即使在极端环境条件下，系统仍能维持高度精确的时间基准。这种级别的稳定性是通过内置的恒温槽实现的，该恒温槽将石英晶体加热并维持在一个固定的温度点（通常为 85°C 左右），从而消除外部温度波动对晶体谐振频率的影响。同时，该器件的老化特性也极为出色，首年老化率不超过 ±50 ppb，长期使用下频率偏移极小，减少了系统校准周期和维护成本。
　　该 OCXO 的相位噪声表现非常优异，尤其在靠近载波的低偏移频率区域，如 1 Hz 偏移处达到 -100 dBc/Hz，10 Hz 处为 -140 dBc/Hz，这对于雷达系统、高速串行通信和高分辨率测量仪器至关重要，能够有效降低误码率并提高信号完整性。其 HCMOS 输出接口具有快速的上升和下降时间（均 ≤8 ns），可直接驱动 FPGA、ASIC 和微处理器等数字电路，无需额外的信号调理电路，简化了系统设计。
　　O52JO-WUN-50M 采用坚固的金属 DIP-8 封装，具备良好的电磁屏蔽能力和机械强度，能够在振动、冲击和湿度变化较大的工业或户外环境中可靠运行。其启动时间小于 90 秒，意味着从通电到达到稳定输出所需时间较短，适合需要快速启动的应用场景。此外，该器件符合 RoHS 指令要求，并经过严格的可靠性验证，包括高温储存、温度循环和寿命测试，确保在关键任务系统中的长期稳定性。

O52JO-WUN-50M 主要应用于对时序精度要求极为严苛的高端电子系统中。在电信领域，它被广泛用于同步光网络（SONET）、同步数字体系（SDH）以及 4G/5G 基站中的主参考时钟（PRC）或增强型主参考时钟（ePRTC），确保整个通信网络的时间同步和数据传输的准确性。在数据中心和高性能计算系统中，该 OCXO 可作为高精度时钟源，支持高速 SerDes 链路、PCIe 和以太网交换芯片的稳定运行，避免因时钟抖动导致的数据重传或链路中断。
　　在测试与测量设备方面，诸如示波器、频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪等仪器依赖 O52JO-WUN-50M 提供的低相位噪声和高稳定性时钟，以实现亚皮秒级的时间分辨率和极高的测量重复性。在航空航天与国防系统中，该器件可用于雷达信号处理、电子战系统、卫星通信终端和惯性导航系统，其中精确的频率源对于目标探测、距离测量和多普勒效应分析至关重要。
　　此外，该 OCXO 还适用于精密仪器、原子钟辅助系统、电力系统同步（如 IEEE 1588 精确时间协议设备）、广播发射机和高端音频设备等领域。其宽温度范围和高可靠性使其能在户外基站、地下设施或移动平台等复杂环境中持续提供稳定的时钟信号，保障系统整体性能不受时间误差影响。

O52JO-WUN-50.000000A
　　DM-52J0-50.000MHz